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惠唇

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电荷存储特性
  • 1篇直接隧穿
  • 1篇隧穿
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇镍
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS结构

机构

  • 1篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇绍兴文理学院

作者

  • 1篇吴良才
  • 1篇宋志棠
  • 1篇倪鹤南
  • 1篇惠唇

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)被引量：1
2012年
研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。
倪鹤南吴良才宋志棠惠唇
关键词：MOS电荷存储特性
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共1页<1>
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