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高精确度大比特位延时器芯片研制: 2025年; 基于GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D pHEMT)工艺,研制了一款0.5~6 GHz三位可调1400 ps数控延时器芯片。芯片尺寸为3.60 mm×4.00 mm×0.07 mm,集成了3位数控延时器和3 bit并口驱动电路。在0.5~6 GHz范围内,该数控延时器芯片插入损耗小于11 dB,插损波动小于±0.5 dB,全态输入输出驻波比(VSWR)均小于1.5,1400 ps延时误差片内可调为±4 ps,延时量达到ns级别;通过增加可调节单元和键合切断方式,将延时精确度提高至3‰。该芯片具有宽带、高精确度、大延时量和小尺寸性能,可更好地用于天线系统中。; 陈月盈刘帅杨柳赵子润; 关键词：砷化镓高精确度

一种片上可调延时芯片、装置及延时调整方法: 本发明提供一种片上可调延时芯片、装置及延时调整方法，涉及延时器技术领域。本发明通过设置延时微调单元，可以在芯片制造完成后，依据实测延时量的差异，在片上进行延时调整。延时微调单元包括多个不同长度的传输线，具有多个不同延时量...; 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳

数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法: 本发明提供一种数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法。该延时器包括：第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关、延时单元和参考单元；第一单刀双掷开关包括两级并联的三极管S1和S2；第二单刀双掷开关包括两级并联的三极管S3和...; 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳

数控衰减器、级联衰减器及多级衰减器系统: 本发明提供一种数控衰减器、级联衰减器及多级衰减器系统，涉及衰减器技术领域。该数控衰减器包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻、至少一个第一衰减电阻及均衡单元；至少一个第一...; 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳郎平

单刀双掷开关电路、控制方法及芯片: 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的...; 王丹阳许春良刘会东刘志军李远鹏李富强张滨陈月盈杨柳徐伟王雨桐马瑞刘卫乾

带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计: 2023年; 设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。; 杨柳

宽带毫米波系列延时器芯片设计被引量：1: 2024年; 研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理及其在相控阵天线中的作用,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了2款宽带毫米波TTD芯片,改善宽带雷达的大扫描角度带来的波束空间指向色散问题。通过微波在片测试系统对两款系统所需的延时器芯片进行测试,结果显示,在32~40 GHz范围内,阵元级λ/64(5.625°)步进6位数控延时器的64态芯片插入损耗小于19 dB,64态延时相位误差为-2°~9°,插损波动小于±1dB,延时调节范围为0.446~28.125 ps(5.625°~354.375°),全态输入输出驻波均小于1.5;子阵级0.25λ步进4位数控延时器的插入损耗小于12dB, 16态延时相位误差小于±12°,插损波动小于±1dB,延时调节范围为7.142~107.148 ps(0.25λ~3.75λ),全态输入输出驻波均小于2.0;阵列级1λ步进3位数控延时器的插入损耗小于14 dB,8态延时相位误差小于-10°~22°,插损波动小于±1 dB,延时调节范围为28.57~200 ps(1λ~7λ),全态输入输出驻波均小于1.8。这两款产品具有高频率、超宽带、大延时和小尺寸等优点,成功用于有源相控阵天线中。; 陈月盈刘会东杨柳赵子润; 关键词：毫米波砷化镓宽带微波单片集成电路

一种新型超宽带高精度数控延时器及芯片: 本发明提供一种新型超宽带高精度数控延时器及芯片，涉及微波单片集成电路及微电子技术领域。本发明通过在延时支路上增加均衡单元，在参考支路上增加均衡电感，构成均衡Π型衰减结构单元，既保证了延时器有小的幅度波动，也减小了随频率变...; 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳郎平

基于GaAs E/D PHEMT工艺的6～10 GHz多功能MMIC被引量：4: 2016年; 采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管（E/D PHEMT）工艺研制了一款6～10 GHz多功能微波单片集成电路（MMIC）。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明：接收支路增益大于8 d B,1 d B压缩点输出功率大于3 d Bm;发射支路增益大于1 d B,1 d B压缩点输出功率大于8 d Bm。移相64态均方根误差小于3°,衰减64态均方根误差小于1 d B。在工作频带内接收和发射两种状态下,输入输出驻波比均小于1.5∶1。经过版图优化后,芯片尺寸为3.5 mm×5.1 mm。该多功能MMIC可用于微波收发组件,对传输信号进行幅相控制。; 张滨杨柳谢媛媛李富强魏洪涛方园; 关键词：数控移相器

带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计被引量：5: 2016年; 采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。; 张滨李富强杨柳魏洪涛方园; 关键词：数控衰减器

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杨柳