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用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强被引量：1: 2007年; 为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mm×1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60%.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径.; 包魁章蓓代涛康香宁陈志忠王志敏陈勇; 关键词：GAN基发光二极管出光效率纳米压印技术微结构

锰硅化合物Mn4 Si7能带结构的研究被引量：8: 2006年; MnSi1.7在光电子器件领域有广泛的应用前景。由于化合物结构的复杂，对MnSi1.7能带结构的研究仅限于实验上，而且不同实验测量的能隙值不同。首次利用“第一性原理”，对MnSi1.7（Mn4Si7相）的电子特性进行了理论计算。计算结果表明，MnSi1.7（Mn4Si7）具有0．83eV的直接能隙，这预示了MnSi1.7在光电上有着重要的应用前景。; 张民季诚响韩荣生王志敏; 关键词：电子结构能隙

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王志敏