张勇
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：嘉兴学院数理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：嘉兴市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>
- N、F共掺TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：1
- 2016年
- 为实现TiO_2的可见光活性,基于密度泛函理论,利用修改的Becke-Johnson交换势计算了N、F单一掺杂及共掺杂TiO_2的电子结构及光学性质.计算结果表明,N单一掺杂会在TiO_2带隙中引入部分占据的中间带隙态,其中的空穴会成为光生电子的复合中心;单一的F掺杂对TiO_2的带隙几乎没有显著影响,但会引入额外电子;N、F共掺不仅能消除N引入的复合中心,而且在高掺杂浓度时还能降低TiO_2带隙,从而实现其可见光响应.形成能的计算结果表明,F的引入有利于降低N掺杂TiO_2的形成能,富Ti的生长条件有利于掺杂浓度的进一步提高.
- 张勇李凤张敏
- 关键词：共掺杂电子结构光学特性
- Sn掺杂对钙钛矿MAPbI3电子结构及光学特性调控的第一性原理研究被引量：1
- 2019年
- 建立了Sn取代MAPbI3中Pb元素的掺杂模型,利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,系统研究了Sn掺杂对MAPbI3电子结构及光学特性的影响.研究结果表明,Sn掺杂可对MAPbI3的带隙进行有效调控,采用控制杂质元素的含量,可以得到满足要求的叠层结构钙钛矿太阳能电池的背层光吸收材料.
- 金家浩胡奇超王绅杰张勇
- 关键词：第一性原理太阳能电池钙钛矿电子结构光学特性
- Tm掺杂AlN薄膜结构及其光致发光特性研究
- 2013年
- 利用射频磁控反应溅射方法,以Al-Tm合金为靶材,Si(100)为衬底,制备了铕(Tm)掺杂的氮化铝(AlN)薄膜.利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了退火温度对样品结晶形态和表面粗糙度的影响.XRD测试结果表明,经高温退火处理后的样品具有良好的(100)择优取向;AFM测试表明,适当温度退火后的薄膜更加致密、平整;X-射线能量谱(EDS)测试表明,薄膜主要组分为Al、N、O、和C元素,但C、O主要吸附于薄膜表面,Al和N的含量接近于AlN的化学计量比;光致发光光谱(PL)测试表明,Tm掺杂的AlN薄膜发光中心位于468nn,对应于可见光谱中的蓝色光,退火温度对发光强度有重要影响.
- 张勇马玉彬
- 关键词：射频磁控反应溅射光致发光光谱
- 掺铕氮化铝薄膜的光致发光研究被引量：1
- 2012年
- 利用射频磁控溅射方法制备了Eu掺杂的AlN薄膜样品。光致发光光谱测试表明,通过控制实验条件,样品在室温下可以发出不同颜色的光:在613nm和407nm处出现的两个较强窄峰分别对应于可见光区的红光和紫光。红光峰源于样品中的Eu3+离子4f壳层的5 D0-7F2能级跃迁,紫光峰则源自Eu2+离子的5d和4f间的能级跃迁。实验结果表明,随着溅射功率的增加,紫光强度得到明显加强.另外,中心位于525nm处存在一个宽的PL光谱带,对应于可见光区的绿光,该峰的出现与Eu3+5 D1-7FJ能级跃迁和样品中存在的结构缺陷和氧污染等因素有关.
- 张勇刘文
- 关键词：光致发光光谱射频磁控溅射
- 共溅射磁控溅射法制备AlN:Er薄膜的XPS和PL研究
- 2010年
- 采用共溅射磁控溅射方法,以Al+Er为靶材,通过Er和Al靶的面积比来控制Er在AlN中的含量,在Si衬底上制备出AlN:Er薄膜.XRD分析结果表明,样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量被控制在1atm%左右,氧不可避免.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征.其中,尖荧光峰谱源于Er^(3+)的4f轨道直接激发跃迁;而宽谱则可能与Er^(3+)的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.
- 胡亚华张勇
- 关键词：XPSPL
- 基于Matlab的大学物理实验作业批改评分系统被引量：2
- 2015年
- 基于Matlab的大学物理实验作业的自动批改评分系统由两部分组成:错误发现程序和评分程序,以杨氏模量实验为例详细论述了该系统各部分的功能和实现方式,结果表明:该系统可以解决大学物理实验作业批改中存在的工作量大、评分主观的问题,且具有良好的功能扩展性和适用性。
- 张敏张勇
- 关键词：自动评分系统MATLAB
