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张锐华

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：五邑大学应用物理与材料学院更多>>
发文基金：上海市教育委员会科技发展基金国家高技术研究发展计划广东省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电性质
  • 1篇异质结
  • 1篇磷掺杂
  • 1篇溅射
  • 1篇光电性质
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇P型ZNO薄...
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇上海理工大学
  • 1篇五邑大学
  • 1篇上海市现代光...

作者

  • 1篇王忆
  • 1篇朱慧群
  • 1篇丁瑞钦
  • 1篇李毅
  • 1篇黄洁芳
  • 1篇张锐华

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质被引量：4
2012年
采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982×1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V.s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性。
朱慧群李毅丁瑞钦王忆黄洁芳张锐华
关键词：磁控溅射P型ZNO薄膜磷掺杂异质结
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共1页<1>
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