赵金茹
- 作品数：3 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用被引量：7
- 2013年
- 硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。
- 陈杰李俊赵金茹李幸和许生根
- 关键词：深槽介电特性原子层沉积
- SPC在微电路生产中腐蚀工序的应用被引量：1
- 2010年
- 文章介绍了统计过程控制(SPC)的基本概念和基本原理,以及在微电路生产中腐蚀工序的应用。详细介绍潜在工序能力指数和实际工序能力指数的区别以及双侧规格下的常规计算方法,给出实际生产中工序能力指数的判断准则。研究SPC在腐蚀工序中在线设备运转状态和产品的关键工艺参数的监控内容及方式。讨论SPC实施过程中控制图的建立过程、参数数据的采集、控制图的选用、常用的判异准则以及如何进行工序能力评价。结合实例,论证腐蚀工艺控制过程中出现失控点时的分析思路和处理方法。
- 赵金茹王春栋秦永伟李俊
- 关键词：SPC控制图
- 0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化
- 2010年
- 文章基于Precision5000等离子刻蚀技术,运用正交优化实验法,控制由LPCVD制备的Si3N4膜层对SiO2的选择比,对0.5μm有源区腐蚀工艺进行优化。运用minitab软件获得选择比的主效应图、效应的Pareto图、正态概率图,并讨论O2、Ar、CHF3气体对选择比的影响,最终获得各气体成分的最佳配比。实验结果表明有源区腐蚀中通过提高过腐蚀中Si3N4对SiO2的选择比来减少SiO2的损失,可以成功地将SiO2的损失控制在合理范围内,且腐蚀后平面、剖面形貌等各种参数符合产品要求。
- 秦永伟赵金茹王春栋李俊
- 关键词：选择比
