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刘云霞

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇氧化诱生层错
  • 1篇抛光片
  • 1篇硅单晶
  • 1篇SI单晶
  • 1篇CR

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇周旗钢
  • 1篇孙燕
  • 1篇曹孜
  • 1篇刘云霞
  • 1篇李惠
  • 1篇石宇

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错被引量：1
2010年
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。
刘云霞周旗钢孙燕石宇曹孜李惠
关键词：氧化诱生层错硅单晶抛光片
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