李远鹏
- 作品数：22 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统
- 本发明提供一种GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统，属于微电子技术领域。该GaN幅相控制多功能芯片包括输入端口、输出端口、分布式电流复用放大器、移相器、第一隔直电容和第二隔直电容；分布式电流复用放大器包括第一开关管、第二...
- 马瑞许春良刘帅李远鹏刘志军李富强张滨王丹阳刘卫乾
- X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
- 2023年
- 为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性。芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1 dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm×2.4 mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势。
- 李远鹏魏洪涛刘会东
- 关键词：限幅器
- 电流复用放大器及电子装置
- 本申请适用于集成电路放大器设计技术领域，提供了电流复用放大器及电子装置，该电流复用放大器包括至少两级放大器，至少两级放大器在信号输入方向依次串联连接；与信号输入端连接的放大器为第一级放大器，与信号输出端连接的放大器为末级...
- 吴天军卢东旭李远鹏刘会东许春良
- 基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器
- 本申请适用于半导体及微电子技术领域，提供了基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器，包括：输入单元、输出单元、第一时钟信号单元、第二时钟信号单元、第一有源电阻单元、第二有源电阻单元、第三有源电阻单元和第四有源电阻单元；当第...
- 龚剑赵子润魏洪涛刘会东李远鹏刘志军
- 收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统
- 本发明提供一种收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统。该芯片包括：极化开关模块、天线端通道选择模块、接收通道低噪声放大器模块、发射通道功率放大器模块以及驱动端通道选择模块；极化开关模块的第一端用于连接水平极化天...
- 韩芹许春良刘会东崔璐李远鹏刘永强王晓阳李明
- 2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制
- 2009年
- 分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了电路的稳定性。采用标准CMOS工艺,设计出了低功耗、低电压工作的2.45GHz射频模拟前端芯片电路,芯片在0.8～1.8V电压内均可正常工作。芯片的静态工作电流为2μA,芯片工作时,平均工作电流约为65μA。
- 李远鹏吴洪江默立冬
- 关键词：射频标签整流器稳压源限幅
- 动态偏置电路及放大器系统电路
- 本发明提供一种动态偏置电路及放大器系统电路。该动态偏置电路包括：差分包络检波模块、放大器偏置模块和缓冲模块；差分包络检波模块用于接入第一目标场效应管的栅极处的射频信号，并将射频信号进行整流得到直流信号后输出至缓冲模块；放...
- 吴天军李远鹏卢东旭刘会东许春良
- 6 GHz~24 GHz超宽带数控移相器MMIC的研发
- 2025年
- 采用0.15μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管工艺设计了一款工作频率为6 GHz~24 GHz的超宽带6位数控移相器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)。为使MMIC具备超宽带、小面积和高精度的特性,5.625°移相单元采用变形的桥T型高/低通型拓扑结构,11.25°移相单元采用开关切全通型拓扑结构,22.5°和45°移相单元采用开关切定向耦合器型拓扑结构,90°和180°移相单元采用开关切复合结构型拓扑结构。该数控移相器在6 GHz~24 GHz频段内,插入损耗小于18.0 dB,移相精度均方根小于2.50°,幅度波动均方根小于0.40 dB。
- 马瑞李远鹏刘会东
- 关键词：超宽带数控移相器MMIC
- 数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法
- 本发明提供一种数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法。该延时器包括：第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关、延时单元和参考单元；第一单刀双掷开关包括两级并联的三极管S1和S2；第二单刀双掷开关包括两级并联的三极管S3和...
- 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳
- 数控衰减器、级联衰减器及多级衰减器系统
- 本发明提供一种数控衰减器、级联衰减器及多级衰减器系统，涉及衰减器技术领域。该数控衰减器包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻、至少一个第一衰减电阻及均衡单元；至少一个第一...
- 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳郎平
