张俊峰
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：武汉科技大学材料与冶金学院更多>>
- 发文基金：材料成形与模具技术国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 射频反应磁控溅射制备的SnO_2及SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能被引量：2
- 2017年
- 以Sn和Sn+SnF_2为靶材,采用射频(RF)反应磁控溅射法在150℃不同O_2流量下制备了厚度约为300 nm的SnO_2和SnO_2:F薄膜。通过X射线衍射、Hall效应测试系统和紫外–可见分光光度计研究了两种薄膜的结构和透明导电性能。结果表明:随O_2流量增加,SnO_2薄膜由非晶变为多晶,择优取向从(101)面过渡到(211)面,薄膜电阻先减小后增大,平均透光率逐渐上升。随O_2流量增加,SnO_2:F薄膜结构与透明导电性能的变化规律与SnO_2薄膜类似,SnO_2:F薄膜的择优取向依次为(002)、(101)和(211)面,由于F掺杂,SnO_2:F薄膜的载流子浓度和迁移率明显增加,电阻率降低,同时平均透过率有所提高。目前,在合适的O_2流量下,SnO_2:F薄膜可达到的最低电阻率为4.16×10^(–3) ?·cm,同时其平均透光率为86.5%。
- 杨玉婷祝柏林谢挺张俊峰吴隽甘章华刘静
- 关键词：射频反应磁控溅射氟掺杂
- O_2/(O_2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol% V_2O_5薄膜缺陷类型的影响
- 2017年
- 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol%V_2O_5(ZnO∶V)薄膜,研究了O_2/(O_2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响。研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中。ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(V_O)和间隙锌(Zn_i)杂化形成的复合体,两者比例随O_2/(O_2+Ar)流量比而变化。
- 张俊峰吴隽龙晓阳祝柏林李涛涛姚亚刚
- 关键词：射频磁控溅射缺陷态
