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张超

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：电子科技大学IC设计中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇运算放大器
  • 1篇温度系数
  • 1篇基准电压
  • 1篇放大器

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇罗萍
  • 1篇张超
  • 1篇杨永豪

传媒

  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计被引量：8
2006年
采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关。
张超罗萍杨永豪
关键词：带隙基准电压运算放大器温度系数
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共1页<1>
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