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黄敏

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：南京理工大学泰州科技学院更多>>
发文基金：南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇缺陷态
  • 1篇可调
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光

机构

  • 1篇南京大学
  • 1篇南京理工大学

作者

  • 1篇董恒平
  • 1篇陈坤基
  • 1篇李伟
  • 1篇孙正凤
  • 1篇黄敏
  • 1篇王友凤
  • 1篇段欢
  • 1篇曹燕

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究被引量：2
2014年
利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法在室温下制备出非晶氮氧化硅（a-SiNxOy）薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450-600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。
董恒平陈坤基李伟孙正凤黄敏段欢曹燕王友凤
关键词：缺陷态
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