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何伟

作品数:5 被引量:8H指数:2
供职机构:陕西科技大学电气与信息工程学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 3篇阴极
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 2篇显示器
  • 1篇电视
  • 1篇电子技术
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶背光源
  • 1篇液晶电视
  • 1篇液晶显示
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇荧光粉
  • 1篇荧光屏
  • 1篇屏幕
  • 1篇稳定性
  • 1篇亮度
  • 1篇浆料
  • 1篇复合阴极
  • 1篇薄型

机构

  • 5篇陕西科技大学
  • 2篇西安交通大学

作者

  • 5篇史永胜
  • 5篇何伟
  • 2篇朱长纯
  • 1篇周海娜

传媒

  • 2篇陕西科技大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 4篇2008
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
碳纳米管复合阴极的稳定性研究被引量:2
2008年
基于隧穿效应的双势垒模型,采用Sol-Gel法在ITO玻璃基底上制备了SiO2涂层碳纳米管阴极,利用SEM对阴极的形貌、结构进行分析,并对场发射性能、发射稳定性与发光特性进行研究,获得了发射电流高,稳定性良好的阴极。测试结果表明:SiO2质量分数为20%时阴极具有比较高的发射电流及较好的场发射稳定性能;阴极开启场为1.71V/mm,在场强为2V/mm时,发射电流密度为65μA/cm2;发射电流在3h内,波动小于3%。低成本丝网印刷制备的该阴极,适合于不同尺寸器件的冷阴极。
史永胜何伟朱长纯
关键词:碳纳米管复合阴极稳定性
碳纳米管场致发射显示器的研究进展被引量:4
2008年
碳纳米管场致发射显示器(CNT-FED)具有驱动电压低、功耗小和制造成本低廉等优势,有望成为下一代平板显示器件的主流产品。全面系统地分析了制约CNT-FED商品化进程中的关键技术:碳纳米管定向可控生长、阴极低的开启场、高的电流发射密度、大面积发射均匀性、长寿命稳定发射以及低成本制造工艺等的研究进展,结合我们的课题研究与国内外现状,提出了实现碳纳米管场致发射显示器产业化的发展方向与研究途径。
史永胜张媛媛何伟朱长纯
关键词:碳纳米管场致发射显示器阴极
大屏幕液晶电视多畴垂直取向模式的分析
2006年
对MVA模式的81.28cm(32英寸)液晶屏进行了分析与设计,其主要内容包括:(1)使在像素内控制液晶分子倾斜方向的凸起均匀、彼此间不相连的分布在上下基板上,并且上下基板的凸起是相间排列的;畴的结构是由凸起的高度、宽度和与相邻凸起的间距所决定的。为了获得稳定的畴结构,需要对相邻凸起的间距进行优化设计。(2)在阵列基板栅线形成的同时,产生伴于信号线左右并与栅极同材料的挡光板,使黑底的两侧都向信号线侧缩进,以提高LCD屏的开口率。
史永胜何伟周海娜
关键词:液晶显示器MVA
碳纳米管场致发射阴极浆料的研制
2008年
通过筛选阴极浆料中的载体、不同种类的粘结剂和添加剂,开发出具有优良场致发射性能的大面积、低成本丝网印刷复合阴极浆料并烧结制成阴极。结果表明:在电场强度为3.2V/μm下其电流密度约为42×10–3A/cm2,场发射均匀性很好,二极管型发光板发光亮度为625cd/m2。该阴极适用于制作大面积的CNT-FED阴极和液晶显示器的背光源。
史永胜何伟张媛媛
关键词:电子技术碳纳米管浆料阴极
薄型化液晶背光源荧光粉涂敷技术的研究被引量:2
2008年
针对大屏幕液晶显示器的薄型化趋势,基于sol-gel法研究了一种新式薄型背光源沉降法涂屏技术.讨论了一次涂敷与二次涂敷性能、荧光粉表面形貌、膜厚与亮度的关系,获得了较好的屏制备条件,制作出了12.7 cm(5英寸)、亮度为65000 cd/m2的平面背光板.
史永胜张媛媛何伟
关键词:背光源荧光屏亮度
共1页<1>
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