张先坤
- 作品数：55 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法
- 本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法，包括：绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组；基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域，其中，悬空沟道区域用于抑制静态电流；第一电极组包...
- 张跃卫孝福张铮张先坤于慧慧高丽洪孟羽都娴
- 一种过渡金属族硫化物逻辑运算器及其构筑方法
- 本发明属于逻辑运算器领域，涉及一种过渡金属族硫化物同质结逻辑运算器及其构筑方法。构筑方法为：对一个过渡金属族硫化物纳米片的一半区域进行保护，另一半未保护的区域用弱氧化性溶液进行硫空位的构筑。而过渡金属族硫化物的电子特性受...
- 张跃高丽张铮廖庆亮高放放张先坤柳柏杉杜君莉于慧慧洪孟羽欧洋肖建坤
- 文献传递
- 全二维金属/半导体界面与器件
- 超薄的二维材料因其原子级平整的表面和对短沟道效应出色的免疫力被认为是未来电子学器件的潜在候选材料。一个高性能半导体器件的应用与服役是离不开一个高质量的金属/半导体接触。
- 张先坤
- 一种二维可重构晶体管及其制备方法和应用
- 本发明公开一种二维可重构晶体管及其制备方法和应用，属于二维半导体材料技术领域。所述二维可重构晶体管包括：依次设于衬底层上方的极性栅电极层、介电层、二维半导体层和电极层；所述极性栅电极层包括两个极性栅电极和设于两个所述极性...
- 张跃赵航张铮张先坤尚金森卫孝福陈匡磊
- 一种基于α-硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用
- 本发明公开了一种基于α‑硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用，涉及半导体材料与器件技术领域。该存储器包括金属电极、少层六方氮化硼或氧化铪、α‑硒化铟纳米片、少层石墨烯及目标衬底；少层石墨烯完全覆盖目...
- 张跃汤文辉张铮于慧慧高丽张先坤洪孟羽曾浩然卫孝福
- 一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法
- 本发明涉及一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法，属于二维过渡金属硫族化合物材料生长技术领域，本发明采用两步法CVD生长二维MoTe<Sub>2</Sub>，解决了一步法CVD生长二维MoTe<Sub>2<...
- 张跃李瑞山张铮张先坤冉义师张彦哲上官炜刘一禾姜鹤
- 二维MoS2光电性能的缺陷调控研究
- 以层状二硫化银(MoS2)为代表的二维过渡金属硫化物(transition-metal dichalcogenides,TMDs)是广受关注的二维半导体材料体系。他们具备超薄的体厚度、原子级平整的界面、合适的禁带宽度以及...
- 张先坤
- 关键词：同质结
- 文献传递
- 衬底修饰层诱导的高覆盖率单层MoS_(2)晶圆生长研究
- 2025年
- 作为后摩尔时代集成电路发展的关键候选材料之一,二维二硫化钼(MoS_(2))晶圆级高质量制备是其产业化应用的重要基础。当前基于蓝宝石衬底的化学气相沉积(CVD)法虽可实现大尺寸MoS_(2)薄膜生长,但受限于气相MoO_(3)在蓝宝石Al-O界面上吸附能力较弱导致的钼源不均匀沉积,造成了薄膜翘曲和裂纹缺陷等问题。研究提出了一种蓝宝石衬底表面预制备Al-O-Mo-O化学键合修饰层的生长策略,成功生长出均匀连续、高覆盖率的2英寸单层MoS_(2)晶圆。该方法通过在预退火沉积的过程中,提供稳定的氧气氛围,有效减弱了蓝宝石表面悬挂键,同时在蓝宝石衬底表面构筑了Al-O-Mo-O修饰层,为气相MoO_(3)沉积提供稳固的锚定位点,增强了MoO_(3)反应源在界面上的吸附作用,促进了气相钼源在衬底上的均匀吸附沉积和均匀硫化,最终获得高覆盖率单层MoS_(2)薄膜。基于此薄膜构建的顶栅晶体管阵列性能展现出优异的一致性,最高开关比达10^(7),最大开态电流达10^(−5)A,器件良率超过96%。研究提出的衬底修饰方法为蓝宝石基高质量MoS_(2)薄膜的可控制备提供了新方案,优化了现有制备工艺体系,对推动二维材料在集成电路中的应用具有积极意义。
- 左浩松刘一禾陈匡磊胥如峰张铮张铮张跃
- 关键词：前驱体化学气相沉积
- 一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法
- 本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法，包括：绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组；基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域，其中，悬空沟道区域用于抑制静态电流；第一电极组包...
- 张跃卫孝福张铮张先坤于慧慧高丽洪孟羽都娴
- 一种碲纳米片厚度减薄的方法
- 本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法，属于纳米材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中，取出干燥，即得所述厚度减薄的碲纳米片；本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应，对碲纳米片...
- 张跃于慧慧张铮曾浩然张先坤高丽洪孟羽汤文辉李瑞山卫孝福
- 文献传递
