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许璐

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:北京七星华创电子股份有限公司更多>>

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇直径
  • 3篇喷淋
  • 3篇喷淋装置
  • 3篇晶片
  • 3篇均匀性
  • 1篇喷管
  • 1篇雾化
  • 1篇精确控制
  • 1篇可移动
  • 1篇拉瓦尔喷管
  • 1篇混合腔
  • 1篇二相流
  • 1篇腐蚀速率
  • 1篇出口

机构

  • 4篇北京七星华创...

作者

  • 4篇许璐
  • 3篇刘伟
  • 1篇滕宇

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法
本发明公开了一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法,包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上,第一喷淋装置的长度与晶片的半径或直径一致,其喷出的化学药液可瞬间同时覆盖晶片的表面。...
刘伟许璐
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一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法
本发明公开了一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法,包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上,第一喷淋装置的长度与晶片的半径或直径一致,其喷出的化学药液可瞬间同时覆盖晶片的表面。...
刘伟许璐
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一种提高晶片腐蚀均匀性的装置
本实用新型公开了一种提高晶片腐蚀均匀性的装置,包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上,第一喷淋装置的长度与晶片的半径或直径一致,其喷出的化学药液可瞬间同时覆盖晶片的表面。本...
刘伟许璐
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一种二相流雾化清洗装置
本发明公开了一种二相流雾化清洗装置,包括可移动固定支架及与其相连的二相流雾化喷嘴主体,主体内设有清洗介质混合腔,用于使通入的气体、液体清洗介质充分混合,并形成尺寸均匀的雾化颗粒,主体下端设有雾化颗粒出口,其通过拉瓦尔喷管...
滕宇许璐
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共1页<1>
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