谢建春
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院激发态物理重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- LP-MOCVD两步生长法制备的InAs_(0.9)Sb_(0.1)/GaAs
- 2007年
- 利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017cm-3和迁移率为6214cm2/V.s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233cm-1和InSb(LO)的187cm-1两种光学声子行为。
- 谢建春缪国庆金亿鑫张铁民宋航蒋红刘乃康李志明
- 关键词：金属有机化学气相沉积INASSBGAAS
- 缓冲层InxGa_(1-x)As组分对In_(0.82)Ga_(0.18)As结晶质量和表面形貌的影响被引量：3
- 2006年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌。实验结果表明,低温生长的缓冲层InxGa1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In0.82Ga0.18As的结晶质量和表面形貌。测量得到四个样品的外延层In0.82Ga0.18As的X射线衍射谱峰半峰全宽(FWHM)为0.596°,0.468°,0.362°和0.391°,分别对应缓冲层In组分x=0.28,0.53,0.82,0.88,当缓冲层In组分是0.82时,FWHM最窄,表明样品的结晶质量最好。SEM观察四个样品的表面形貌,当缓冲层In组分是0.82时,样品的表面平整,没有出现交叉平行线或蚀坑等缺陷,表面形貌最佳。
- 张铁民缪国庆金亿鑫谢建春蒋红李志明宋航
- 关键词：铟镓砷金属有机化学气相沉积X射线衍射扫描电子显微镜
