周天宇
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市青年科技启明星计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- Ni/V/4H-SiC欧姆接触电极制备与性能研究
- 本文选择Ni/V双层金属结构，研究了引入V对Ni/4H-SiC欧姆接触性能的影响。实验结果表明，Ni/V双层金属结构在退火温度高于950℃才能与SiC半导体形成良好的欧姆接触;不同厚度的Ni/V结构电极在1050℃快速退...
- 代冲冲刘学超周天宇黄维杨建华施尔畏
- 关键词：欧姆接触电极碳化硅性能表征
- 文献传递
- 正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究被引量：7
- 2012年
- 采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601～0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小.
- 常少辉刘学超黄维周天宇杨建华施尔畏
- 关键词：光导开关
- V掺杂6H-SiC光导开关制备与性能研究被引量：3
- 2014年
- 采用V掺杂半绝缘6H-SiC单晶衬底材料制备了平面电极型大功率SiC光导开关,用强度为150 μJ/mm2、波长为355 nm的脉冲激光对开关进行触发,在1～14 kV的外加电压范围内对光导开关的耐压特性、导通电阻等性能进行了研究.结果表明：随着开关外加电压的升高,开关的电流峰值呈现不断增大的趋势,当开关外加电压为14 kV时,电流峰值达185 A,对应的光导开关峰值功率为2.59 MW,开关的导通电阻约为22 Ω.
- 周天宇刘学超代冲冲黄维施尔畏
- 关键词：碳化硅光导开关导通电阻峰值功率
