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鲁亚翠

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 1篇低温漂
  • 1篇电流
  • 1篇电流源
  • 1篇电路
  • 1篇电压
  • 1篇电子设备
  • 1篇电阻
  • 1篇短路
  • 1篇阴极
  • 1篇双极
  • 1篇双极工艺
  • 1篇启动电流
  • 1篇欠压锁定
  • 1篇校准电路
  • 1篇可调电阻
  • 1篇基极
  • 1篇集电极
  • 1篇工作电压
  • 1篇共基极
  • 1篇发射极

机构

  • 4篇西安微电子技...

作者

  • 4篇鲁亚翠
  • 2篇王勇
  • 2篇白欢利
  • 1篇刘佑宝
  • 1篇魏海龙
  • 1篇钟咏梅
  • 1篇尤路

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种电阻型烧调线路结构、电子设备及烧调方法
本发明公开了一种电阻型烧调线路结构、电子设备及烧调方法，旨在克服现有电阻烧调技术烧调精度低的不足。该结构包括电阻网络模块，用于提供可调电阻值，包括3个串并联电阻，其中阻值最大的电阻为被烧调电阻；调节组件模块，用于改变被烧...
钟咏梅刘鹏鲁亚翠刘冠春王勇
一种电压不敏感的低温漂电流源
本发明公开了一种电压不敏感的低温漂电流源，包括电源VCC，接地VEE，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第一NPN管Q1，第二NPN管Q2，第三NPN管Q3，第四NPN管Q4，第五NPN管Q5，第一PNP管Q6，...
鲁亚翠李新瑞白欢利
半导体保护器件阴极短路区的设计被引量：1
2006年
为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法。
鲁亚翠刘佑宝
关键词：阴极
一种双极欠压锁定保护电路
本发明公开了一种双极欠压锁定保护电路，包括电阻比例电流镜和启动电路，电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管，LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接，LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连...
鲁亚翠白欢利李新瑞尤路魏海龙王勇
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