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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇功率放大
  • 2篇功率管
  • 2篇ADS仿真
  • 1篇电路
  • 1篇频段
  • 1篇切换
  • 1篇阻抗匹配
  • 1篇漏极
  • 1篇开关
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  • 1篇放大器
  • 1篇放大器设计
  • 1篇放电
  • 1篇放电电路
  • 1篇PMOS管
  • 1篇SIC
  • 1篇GAN

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇刘传洋
  • 2篇郑焘
  • 1篇蓝永海
  • 1篇薛新
  • 1篇杨贤松

传媒

  • 1篇无线电工程
  • 1篇电子产品世界

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2014
5 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
L频段高效功率放大器设计被引量:12
2014年
氮化镓(Gallium(iii)Nitride,GaN)作为新一代半导体材料的代表,其高功率密度、高击穿场强的特点使其具备了带宽宽、效率高等优点。根据GaN功率管的特点,采用ADS仿真软件,对功率管进行了直流分析、稳定性分析以及输入输出匹配电路的仿真与设计,并对放大器效率指标进行了测试。实验数据表明,功率放大器在L频段可以达到连续波输出功率100 W,效率大于50%,验证了GaN功率管高效率的特性。
刘传洋蓝永海
关键词:ADS仿真
800MHz~1250MHz 70 W高效功率放大模块设计
2019年
主要介绍了一款频段为800 MHz^1250 MHz,输出功率大于70 W高效小型化模块的设计,着重讨论SiC单管电路的匹配电路的仿真与设计。根据仿真电路设计版图,加工安装模块,实测在800 MHz^1250 MHz频段上饱和功率输出大于70 W,增益大于7.5 d B,效率大于40%。
刘传洋郑焘
关键词:阻抗匹配ADS仿真
一种PMOS管的高速开关电路
本发明涉及一种PMOS管的高速开关电路,属于功率电子技术领域,解决了现有电路在进行电压加载和切断时存在较长时间延迟的问题。该电路包括:PMOS管、放电电路以及充电电路;所述PMOS管的源极与输入电源连接,栅极分别与充电电...
杨贤松郑焘薛新刘传洋
共1页<1>
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