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曾静

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿强度
  • 1篇SR
  • 1篇TI
  • 1篇ZR
  • 1篇BA0
  • 1篇BA

机构

  • 2篇四川大学

作者

  • 2篇余萍
  • 2篇樊明雷
  • 2篇曾静
  • 1篇陈潇洋
  • 1篇孙晓剑
  • 1篇张小山
  • 1篇张丹阳

传媒

  • 1篇湖北大学学报...
  • 1篇广州化工

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
流延工艺对BSZT-0.02MgO陶瓷微结构和性能的影响
2015年
采用溶胶凝胶法制备BSZT陶瓷粉,将Mg O粉体以2%摩尔比固相法掺入BSZT陶瓷粉中,研究不同流延工艺对Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3(BSZT)-0.02Mg O陶瓷微结构和电学性能的影响。研究结果表明,适当的烧结温度和优化的流延成型工艺能有效改善陶瓷的电学性能,提高击穿强度和储能密度,本实验击穿强度达到233.33 k V/cm,储能密度达到1.539×106Jm-3。
曾静樊明雷陈潇洋张丹阳余萍
关键词：击穿强度陶瓷
掺杂方式对Mg:Ba_(0.3)Sr_(0.7)Zr_(0.18)Ti_(0.82)O_3陶瓷微结构及性能的影响被引量：1
2013年
采用溶胶-凝胶法制备Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷粉末,以传统陶瓷制备工艺制备Mg元素掺杂的Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷.研究MgO掺杂量为1.6%(质量分数)时,MgO固相掺杂和Mg2+湿化学法掺杂两种不同的掺杂方式对Mg掺杂的Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷显微结构及电学性能的影响.研究结果表明,当Mg掺杂量相同时,掺杂方式对Mg掺杂的Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷的显微结构和电学特性有显著的影响,相比纯的Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷,两种掺杂方式中,Mg2+湿化学法掺杂相对于MgO固相掺杂,在BSZT陶瓷中的分布更均匀,替位程度更高,所以其对介电常数的影响也相对更大.而MgO固相掺杂相对于Mg2+湿化学法掺杂明显地促进了陶瓷晶粒的生长,提高了陶瓷的致密性,同时其击穿电场和电阻率也有较大提高.1 350℃下烧结的固相MgO掺杂的Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷性能较优,介电常数约为590,介电损耗低于0.000 5,电阻率为7.78×1013Ω.mm,击穿场强为6.56kV/mm.
孙晓剑樊明雷张小山曾静余萍
关键词：介电性能
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共1页<1>
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