单燕
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海理工大学光电信息与计算机工程学院更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电化学制备多孔硅的工艺对其形貌的影响被引量：3
- 2015年
- 采用电化学腐蚀方法,将不同比例的乙醇和质量分数为40%的氢氟酸混合,并以此混合液为腐蚀液,在光照条件下,制备了N型轻掺杂的多孔硅。讨论了不同电化学腐蚀条件对多孔硅结构的影响。研究表明,电流密度、腐蚀时间和氢氟酸质量分数越大时,制备的多孔硅越深,孔径也越大,当以上三者数值过大时会导致多孔硅机械强度急速减弱。由表面形貌可知,当多孔层孔径小于500nm时其机械强度良好,当孔径超过这一阈值尤其是大于800nm时,多孔层骨架则极易断裂。
- 单燕徐伯庆陈麟
- 关键词：电化学N型硅
