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刘米丰

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇圆片
  • 3篇键合
  • 3篇非晶硅
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇低温键合
  • 2篇电极
  • 2篇射频MEMS...
  • 2篇双通道
  • 2篇退火
  • 2篇退火炉
  • 2篇微波传输线
  • 2篇锚点
  • 2篇金膜
  • 2篇开关
  • 2篇溅射
  • 2篇硅圆片
  • 2篇传输线
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成

机构

  • 7篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 7篇熊斌
  • 7篇王跃林
  • 7篇刘米丰
  • 5篇徐德辉
  • 1篇杨恒昭

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法
本发明提供一种基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法，首先在上基板的键合面上制备出氧化硅层，在氧化硅层上依次蒸发或溅射出钛、金膜，并去除非键合区域的钛、金膜；其次在下基板的键合面上制备出氧化硅层及非晶硅层，在非晶硅层上依次蒸...
熊斌刘米丰王跃林徐德辉
文献传递
低温非晶硅/金圆片键合技术(英文)
2013年
本文研究了低温非晶硅/金圆片键合技术.具有不同金硅比的键合片在400℃键合温度和1 MPa键合压力下维持30 min,其键合成功区域均高于94%,平均剪切强度均大于10.1 MPa.键合强度测试结果表明键合成品率与金硅比大小无关,平均剪切强度在10～20 MPa范围内.微观结构分析表明键合后单晶硅颗粒随机分布在键合层内,而金则充满其他区域,形成了一个无空洞的键合层.无空洞键合层确保不同金硅比非晶硅/金键合片均具有较高的键合强度,可实现非晶硅/金键合技术在圆片键合领域的应用.
刘米丰徐德辉熊斌王跃林
关键词：圆片键合非晶硅金键合质量
集成微机械热电堆红外探测系统及其制作方法
本发明涉及一种集成微机械热电堆红外探测系统及制作方法，所述的系统包括热电堆探测器和信号处理电路两大部分。其中信号处理电路包括前置放大器，带通滤波器，主放大器和振荡器四部分。特征在于实现了热电堆探测器和信号处理电路的单片集...
熊斌杨恒昭徐德辉刘米丰王跃林
文献传递
基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法
本发明提供一种基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法，首先在上基板的键合面上制备出氧化硅层，在氧化硅层上依次蒸发或溅射出钛、金膜，并去除非键合区域的钛、金膜；其次在下基板的键合面上制备出氧化硅层及非晶硅层，在非晶硅层上依次蒸...
熊斌刘米丰王跃林徐德辉
双通道射频MEMS开关及其制造方法
本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直...
熊斌刘米丰王跃林
文献传递
基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导被引量：1
2012年
在低阻硅（1-10Ω.cm）衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波导悬浮信号线最大翘曲量分别为10μm和16μm。微波性能测试结果表明两种悬浮结构共面波导在1-10 GHz频率范围内插入损耗分别低于4.5 dB/2 mm和3.2 dB/2 mm,远小于制作在低阻硅衬底上的普通共面波导插入损耗9.4 dB/2 mm;在1-3 GHz频率范围内插入损耗分别低于0.54 dB/2 mm和0.17 dB/2 mm,小于制作在高阻硅（1 400-1 500Ω.cm）衬底上普通共面波导的插入损耗0.55 dB/2 mm。
刘米丰熊斌徐德辉王跃林
关键词：共面波导插入损耗
双通道射频MEMS开关及其制造方法
本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直...
熊斌刘米丰王跃林
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