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胡其国

作品数:2 被引量:4H指数:2
供职机构:景德镇陶瓷学院更多>>
发文基金:江西省自然科学基金博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇稀土
  • 2篇稀土掺杂
  • 2篇RE
  • 2篇掺杂
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷补偿
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇高压电
  • 1篇高压电容
  • 1篇高压电容器
  • 1篇SM
  • 1篇SR

机构

  • 2篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 2篇谢志翔
  • 2篇李月明
  • 2篇洪燕
  • 2篇王竹梅
  • 2篇骆雯琴
  • 2篇沈宗洋
  • 2篇胡其国
  • 1篇洪璐

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Re_(0.02)Sr_(0.98)Ti_(0.995)O_3(Re=La,Sm,Er)陶瓷的结构与介电性能被引量:2
2013年
采用固相法,通过预先引入Ti离子空位进行电荷补偿,成功制备了不同种类3价稀土离子掺杂钛酸锶陶瓷Re0.02Sr0.98Ti0.995O3(Re-ST,Re=La,Sm,Er)。X射线衍射仪分析表明Re-ST陶瓷具有和纯钛酸锶(SrTiO3,ST)类似的单一立方钙钛矿结构,从实验上证实了预设B位离子空位进行电荷补偿的可行性。扫描电子显微镜分析发现稀土离子掺杂有效地抑制了晶粒的生长。采用HP4294、HP4284精密阻抗分析仪、JJC9906-A介电强度测试仪以及FMRL偏压测试系统对Re-ST陶瓷的介电性能进行了测试,研究了不同种类稀土离子掺杂对Re-ST陶瓷介电性能的影响。结果表明:Re-ST陶瓷的室温相对介电常数(εr=2 520~3 800,1 kHz)比ST陶瓷的(εr=300,1 kHz)增加了近10倍以上,而介电损耗仍保持在0.05(1 kHz)以下;在–50~180℃,Re-ST陶瓷的介电常数具有较好的稳定性;Re-ST陶瓷的介电强度Eb均在13 kV/mm以上;在0~1.6 kV/mm的偏压测试条件下,Re-ST陶瓷的相对介电常数变化在±10%以内。基于Re-ST陶瓷具有高的εr、相对较高的Eb以及较好的温度特性与偏压特性,其在中高压固态高密度储能介质材料应用领域有着较大的发展前景。
胡其国沈宗洋李月明王竹梅骆雯琴洪燕谢志翔
关键词:稀土掺杂介电性能电荷补偿
Re_2O_3(Re=Pr,Nd)掺杂SrTiO_3陶瓷的结构与储能特性被引量:4
2014年
采用固相法制备了稀土氧化物Re2O3(Re=Pr,Nd)掺杂SrTiO3陶瓷,其化学式为[Re0.02Sr0.97(VSr)0.01]TiO3(Re0.02Sr0.97TiO3:Re-STO,Re=Pr,Nd)。XRD分析结果表明,Re-STO陶瓷具有与纯SrTiO3(STO)陶瓷类似的单一立方钙钛矿结构。SEM分析发现Re-STO陶瓷的晶粒尺寸分布很不均匀,大晶粒在10μm左右,而小晶粒只有1μm左右,小晶粒填充在由大晶粒形成的晶界或三角晶界处。采用HP4294精密阻抗分析仪、JJC9906-A介电强度测试仪以及FMRL偏压测试系统测试了Re-STO陶瓷的介电性能,并评价了其储能特性。结果表明:在最佳烧成温度1350℃制备的Re-STO陶瓷在1 kHz下的相对介电常数(Pr-STO:εr=1860;Nd-STO:εr=1670)是纯STO陶瓷的(εr=300)5倍以上,而介电损耗则保持在0.03(1 kHz)以下;Re-STO陶瓷具有较高的击穿强度Eb>15 kV/mm;在本研究的偏压测试条件范围内,Re-STO陶瓷的εr变化均在±12%以内,其储能密度与偏压则符合二次抛物线关系。因此Re-STO陶瓷可近似认为是线性电介质,是中高压固态储能介质材料理想的候选体系。本研究还对Re-STO陶瓷的相结构、微观结构以及可能的缺陷结构与其介电性能、储能特性之间的关系进行了讨论。
沈宗洋胡其国李月明王竹梅骆雯琴洪燕谢志翔洪璐
关键词:钛酸锶稀土掺杂高压电容器
共1页<1>
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