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孙树风

作品数：10 被引量：10H指数：2
供职机构：中国空间技术研究院更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇航空宇航科学...

主题

  • 5篇星载
  • 4篇频段
  • 4篇放大器
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇低温共烧陶瓷
  • 2篇电路
  • 2篇混频
  • 2篇混频器
  • 2篇集成电路
  • 2篇GAN
  • 2篇KU频段
  • 2篇LTCC
  • 1篇带状线
  • 1篇氮化镓
  • 1篇低频
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声

机构

  • 10篇中国空间技术...

作者

  • 10篇孙树风
  • 3篇杨飞
  • 3篇于洪喜
  • 2篇汪蕾
  • 2篇黄齐波
  • 2篇张波
  • 2篇朱正贤
  • 1篇杨军
  • 1篇徐辉
  • 1篇徐鑫
  • 1篇张晓阳
  • 1篇张大为
  • 1篇马尚
  • 1篇刘瑞竹
  • 1篇李斌
  • 1篇邓向科

传媒

  • 2篇空间电子技术
  • 2篇第十一届卫星...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国空间科学...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2015
  • 1篇2009
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
星载固放的小型化和功放的固态化
文章首先讨论了固态功率放大器(Solid state power amplifier,SSPA)单机的小型化思路,并以S频段10W固放单机为例,说明了基于GaN、MCM (Multi-chip module)和LTCC ...
杨飞于洪喜朱正贤孙树风汪蕾
关键词：GAN功率放大器小型化固态化
文献传递
用于Ku频段LTCC星载混频器的宽带巴伦设计
本文介绍了一种用于实现Ku频段LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)双平衡混频器的宽带巴伦设计。该巴伦是基于LTCC技术设计的多层结构巴伦,利用了LTCC多层技术的优点...
黄齐波孙树风马尚
关键词：多层陶瓷混频器
文献传递
基于LTCC技术的星载Ku频段接收机下变频通道被引量：4
2015年
利用低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,简称LTCC)技术,设计制作了一种可应用于星载Ku频段接收机的下变频通道。该通道将放大器、混频器、滤波器等芯片或器件利用LTCC基板集成技术集成在多层LTCC基板内,实现了接收机的下变频通道中各个模块电路间的紧凑连接与集成。测试结果表明,下变频通道电性能满足指标要求。其尺寸为65mm×43mm×8.5mm,重量仅为76g。
黄齐波徐鑫孙树风张波
Q波段微带到带状线垂直过渡结构被引量：1
2024年
层间垂直过渡结构通常被用来实现组件结构的小型化和高密度设计,在毫米波电路布线中起着不可或缺的作用。本文设计了一种可用于Q波段的微带线到带状线的垂直过渡结构,在微带线的末端采用“水滴”匹配结构,以金属通孔连接传输线的形式进行射频信号的垂直传输。运用三维高频电磁仿真软件(HFSS)建立该结构,并与其他类似结构进行性能仿真比对。优化结果表明,这种结构在42~47 GHz频带范围内,反射系数小于-20 dB,带内插入损耗优于0.3 dB,可以满足工程应用的要求。相比同类型的其他垂直过渡结构,本文结构在减小占用面积的同时保持了良好的传输性能。
邹辉耀孙树风张晓阳
关键词：Q波段带状线微带线
星载固态功率放大器:迈向极高频被引量：5
2021年
聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石和热管的应用和工艺攻关,克服了多热源、高热流的工程瓶颈。Q频段和W频段固放首次在轨应用,以及V频段固放在地面发射机中的应用。考虑到严苛的空间考核条件以及器件为满足在轨长寿命的降额要求,产品均性能优良稳定。文中的Q频段和W频段固放是我国首次开发并在轨搭载验证的星载连续波固态功率放大器,为我国后续极高频段高通量卫星的载荷实现提供了有力技术支撑。
杨飞赵恒飞刘江涛刘瑞竹刘媛萍胡凤娇孙树风于洪喜周颖
关键词：氮化镓固态功率放大器星载
基于GaAs HEMT工艺的X波段六位数字移相器设计
基于GaAs工艺,设计了一个X波段MMIC六位数字移相器。优化了移相器的拓扑结构,对于小相移的移相器使用微带线代替集总电容,减小了芯片尺寸。仿真结果表明,在8-12 GHz频段内,插入损耗小于8.5d B,输入输出回波损...
左正兴张大为孙树风
关键词：移相器砷化镓单片集成电路X波段
基于三代半导体的高效功率放大器在卫星载荷中的应用
文章首先论述了宽禁带三代半导体材料器件的优势和发展现状，并对功率放大器设计技术进行了梳理。基于星载应用，例举了基于GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)的10W F类功率...
杨飞于洪喜朱正贤孙树风汪蕾
关键词：GAN功率放大器F类连续模平衡式DOHERTY
基于DDMZM的星载微波光子混频器设计
2020年
微波部件由于分布式参数的影响,存在一定的频率选择性,难以实现宽带多频段兼容的变频系统,已不能满足高通量星载通信载荷的需求。微波光子技术以其大带宽和无频率选择性的优势为高通量天基通信需求的实现提供了可能性。基于双驱动马赫增德尔调制器(DDMZM)对星载通信转发设备混频单元的方案进行探索,通过理论分析链路模型,使用VPI软件对链路进行仿真优化来寻找DDMZM的最佳偏置点。试验结果表明调制器偏置在最小点时,变频效率高,且具有一定的载波抑制功能,可实现宽带、多频段以及抗干扰等性能,优于微波变频性能。
惠金鑫赵莹邓向科郑飞腾孙树风
关键词：多频段混频载波抑制
微波系统级封装的特点研究与应用进展
2025年
传统多芯片组件封装技术是高密度电子封装技术中的代表性技术,但是受封装内微波信号传输的制约,其射频微波芯片采取水平化的排布方式,难以满足高频率、高密度的射频微波系统级封装需求。随着基板材料技术和叠层工艺不断进步发展,并逐渐应用至射频微波领域,利用晶圆级、三维化和异构集成等实现微波封装集成,使得射频微波组件系统级封装(system in package,SiP)技术成为后摩尔时代增加系统集成度、实现产品小型化的最有效方案之一。文章概述了微波SiP的概念、特点,以及其架构分类。介绍了微波SiP应用材料的发展及应用于微波收发通道的最新研究进展和存在的挑战,展望了未来发展趋势,对其在航天领域的应用发展指明了方向。
李斌杨军张波孙树风姚欣徐辉任凤朝杨士成
关键词：多芯片组件系统级封装
一种提高LNA芯片低频稳定性的设计
针对芯片在使用时,连接片外设备的金丝与电容构成的片外偏置电路有时会使芯片在低频处自激的现象。通过对电路结构的改进设计,使得低噪放芯片对片外偏置电路不再敏感。基于0.25μmE-modepHEMT工艺,设计了一款不受片外偏...
左正兴孙树风
关键词：低噪声放大器单片集成电路稳定性
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