刘京明
- 作品数：30 被引量：22H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>
- 掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂
- 一种掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂，该腐蚀剂，包括三氧化铬、氢氟酸和水，其中，三氧化铬、氢氟酸、水的配制比例为(0.5至2)g：(2至10)mL：(0至50)mL。本发明生长条纹的腐蚀剂的原料易于得到且价格低廉，...
- 孙静赵有文谢辉沈桂英董志远刘京明周媛
- 文献传递
- BAs晶体生长研究进展
- 2021年
- 立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散热领域表现出广阔应用前景,成为当前的研究热点。近年来立方BAs单晶材料的制备取得突破性进展,采用化学气相传输法(CVT)合成了毫米尺寸的高质量单晶,室温下热导率高达1300 W·m^(-1)·K^(-1)。本文介绍了BAs单晶的性质和生长方法,综述了材料研究进展,阐述了晶体生长面临的技术挑战,并对发展前景进行了展望。
- 刘京明赵有文
- 关键词：热导率化合物半导体晶体生长
- 降低开盒即用半绝缘InP单晶衬底表面残留硅浓度的方法
- 受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运行速率。为进步提高半绝缘InP基器件的性能要求降低其表面...
- Jingming Liu刘京明Youwen Zhao赵有文Fenghua Wang王凤华Fengyun Yang杨凤云
- 关键词：化学腐蚀
- 晶硅太阳电池黑斑分析被引量：7
- 2017年
- p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中,部分电池片出现黑斑现象。结合X射线能谱分析(EDS),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷过程中产生黑斑的可能。利用X射线荧光光谱分析(XRF)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域,发现黑斑处Ca含量较大,并出现Sr、Ge和S等杂质元素。将6个档位的电池片制备成2cm×2cm的电池样片,利用光生诱导电流测量了每个电池的外量子效率(EQE)。在460~1 000nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的EQE相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷。给出了杂质引入的原因以及解决途径,从而显著减小了黑斑片产生的几率。
- 陈晓玉刘彤刘京明谢辉赵有文董志远马承红和江变
- 关键词：黑斑能谱分析X射线荧光光谱外量子效率
- 一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法
- 本发明提供一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法，包括：将抛光后砷化铟晶片进行预处理，得到预处理后的抛光后砷化铟晶片；将预处理后的抛光后砷化铟晶片置于第一腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟...
- 冯银红沈桂英赵有文杨俊谢辉刘京明
- 不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析被引量：2
- 2015年
- 对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga—Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑。分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系。
- 程雨刘京明刘彤苏杰杨凤云董志远赵有文
- 关键词：锑化镓XPS
- 对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法
- 本公开提供一种对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法，该检验方法包括：S1，将砷化铟衬底置于柠檬酸溶液中进行第一次腐蚀，再用去离子水冲洗；其中，砷化铟衬底表面形成有自然氧化层；S2，将S1所得的砷化铟衬底...
- 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟刘京明卢超谢辉
- 砷化铟晶体合成生长装置及方法
- 本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法，装置包括：旋转升级系统；石英合成生长管，设置于旋转升级系统上，用于提供真空环境，旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降；第一坩埚，设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统...
- 刘京明杨俊卢伟王凤华谢辉沈桂英赵有文
- InAs/GaSb超晶格探测器外延片背面衬底减薄及平坦化处理方法
- 本发明提供了一种InAs/GaSb超晶格探测器外延片背面衬底减薄及平坦化处理方法，涉及红外探测器制造技术领域，旨在解决传统红外探测器制造工艺中由于衬底过厚导致红外衰减及表面损伤影响探测器性能的技术问题。该方法通过对InA...
- 刘京明王国伟谢辉徐应强吴东海蒋洞微郝宏玥王国强倪海桥牛智川
- 化学配比条件下生长GaSb单晶的本征受主缺陷研究
- 白永彪赵有文沈桂英刘彤刘京明苏杰曹可慰
