李富强
- 作品数：24 被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统
- 本发明提供一种GaN幅相控制多功能芯片及相控阵系统，属于微电子技术领域。该GaN幅相控制多功能芯片包括输入端口、输出端口、分布式电流复用放大器、移相器、第一隔直电容和第二隔直电容；分布式电流复用放大器包括第一开关管、第二...
- 马瑞许春良刘帅李远鹏刘志军李富强张滨王丹阳刘卫乾
- Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计被引量：7
- 2019年
- 基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。
- 李富强赵子润魏洪涛
- 关键词：数字衰减器
- 一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
- 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
- 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
- 一种片上可调延时芯片、装置及延时调整方法
- 本发明提供一种片上可调延时芯片、装置及延时调整方法，涉及延时器技术领域。本发明通过设置延时微调单元，可以在芯片制造完成后，依据实测延时量的差异，在片上进行延时调整。延时微调单元包括多个不同长度的传输线，具有多个不同延时量...
- 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳
- 数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法
- 本发明提供一种数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法。该延时器包括：第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关、延时单元和参考单元；第一单刀双掷开关包括两级并联的三极管S1和S2；第二单刀双掷开关包括两级并联的三极管S3和...
- 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳
- K波段平衡式矢量调制器MMIC被引量：2
- 2019年
- 基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)工艺,设计并实现了一款K波段的平衡式矢量调制器微波单片集成电路(MMIC)芯片。该矢量调制器集成了Lange耦合器、双相幅度调制器和威尔金森功率合成器,其中双相幅度调制器采用平衡式结构对幅度和相位失真进行了补偿。当工作电压以10 mV为步进,从-0.9~0 V扫描时,矢量调制器MMIC实现了连续幅度调制和0°~360°的相位调制。测试结果表明,在18~26 GHz频率内,最大调幅深度大于27 dB,插入损耗小于8.1 dB,输入电压驻波比小于1.3∶1,输出电压驻波比小于1.5∶1。平衡式矢量调制器MMIC尺寸为2.4 mm×2.5 mm,该电路具有插入损耗小、芯片尺寸小、功耗低等特点,可广泛应用于数字通信系统中。
- 李富强许刚方园
- 关键词：矢量调制器
- 数控衰减器、级联衰减器及多级衰减器系统
- 本发明提供一种数控衰减器、级联衰减器及多级衰减器系统，涉及衰减器技术领域。该数控衰减器包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻、至少一个第一衰减电阻及均衡单元；至少一个第一...
- 陈月盈许春良刘帅刘志军张滨李远鹏徐伟马瑞李富强谢媛媛杨柳王丹阳郎平
- 单刀双掷开关电路、控制方法及芯片
- 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的...
- 王丹阳许春良刘会东刘志军李远鹏李富强张滨陈月盈杨柳徐伟王雨桐马瑞刘卫乾
- DC～40GHz反射型GaAs MMIC SPST开关被引量：3
- 2008年
- 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC^40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4∶1。同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
- 方园李富强高学邦吴洪江魏洪涛刘文杰
- 关键词：GAAS微波单片集成电路单刀单掷开关
- 一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
- 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
- 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
- 文献传递
