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聂诚磊
作品数:
5
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
机械工程
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合作作者
杨晓红
中国科学院半导体研究所
韩勤
中国科学院半导体研究所
倪海桥
中国科学院半导体研究所
李彬
中国科学院半导体研究所
刘少卿
中国科学院半导体研究所
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作者
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聂诚磊
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韩勤
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杨晓红
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刘少卿
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李彬
传媒
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半导体光电
年份
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2014
1篇
2013
2篇
2012
共
5
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一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法
本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法,包括:选择外延片,在外延片上涂光刻胶,对外延片腐蚀出台面,形成源漏沟道,其中同一行的源极在光刻时连在一起;在源极和漏极蒸镀电极,进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触;...
聂诚磊
杨晓红
王秀平
王杰
刘少卿
李彬
杨怀伟
尹伟红
韩勤
文献传递
自开关器件电学特性模拟
为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性,本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压,得到了沟道内部电势分布图,分析了器件的整流特性,从电势的角度解释了器件的工作原理。同时分析了不同器件表...
Chenglei Nie
聂诚磊
Xiaohong Yang
杨晓红
Shaoqing Liu
刘少卿
Bin Li
李彬
Weihong Yin
尹伟红
Qin Han
韩勤
关键词:
半导体材料
电学特性
数值模拟
一种非对称沟道量子点场效应光子探测器
本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器,所述光子探测器基于源漏沟道结构,且源漏沟道为非对称结构,所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控,光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包...
杨晓红
聂诚磊
史章淳
倪海桥
韩勤
一种非对称沟道量子点场效应光子探测器
本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器,所述光子探测器基于源漏沟道结构,且源漏沟道为非对称结构,所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控,光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包...
杨晓红
聂诚磊
史章淳
倪海桥
韩勤
文献传递
量子点单光子探测器的研究进展
被引量:4
2013年
量子点单光子探测器具有可保持测试信号完整性、理论量子效率高、工作电压低等优点,同时具有室温单光子探测的潜力,最近得到了广泛的研究。文章介绍了基于三种不同形式量子点的单光子探测器,讨论了它们的工作原理,对比了各自的性能和参数,总结了各种器件的特点,说明了自组织量子点单光子探测的优越性能。
聂诚磊
杨晓红
韩勤
关键词:
单光子探测器
量子点
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