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聂诚磊

作品数:5 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇光子
  • 3篇光子探测器
  • 3篇场效应
  • 2篇点电荷
  • 2篇沟道
  • 2篇二维电子
  • 1篇单光子
  • 1篇单光子探测
  • 1篇单光子探测器
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇数值模拟
  • 1篇图像
  • 1篇图像捕获
  • 1篇外延片
  • 1篇量子效率
  • 1篇列阵

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇聂诚磊
  • 4篇韩勤
  • 4篇杨晓红
  • 2篇倪海桥
  • 1篇王秀平
  • 1篇尹伟红
  • 1篇王杰
  • 1篇杨怀伟
  • 1篇刘少卿
  • 1篇李彬

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法
本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法,包括:选择外延片,在外延片上涂光刻胶,对外延片腐蚀出台面,形成源漏沟道,其中同一行的源极在光刻时连在一起;在源极和漏极蒸镀电极,进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触;...
聂诚磊杨晓红王秀平王杰刘少卿李彬杨怀伟尹伟红韩勤
文献传递
自开关器件电学特性模拟
为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性,本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压,得到了沟道内部电势分布图,分析了器件的整流特性,从电势的角度解释了器件的工作原理。同时分析了不同器件表...
Chenglei Nie聂诚磊Xiaohong Yang杨晓红Shaoqing Liu刘少卿Bin Li李彬Weihong Yin尹伟红Qin Han韩勤
关键词:半导体材料电学特性数值模拟
一种非对称沟道量子点场效应光子探测器
本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器,所述光子探测器基于源漏沟道结构,且源漏沟道为非对称结构,所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控,光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包...
杨晓红聂诚磊史章淳倪海桥韩勤
一种非对称沟道量子点场效应光子探测器
本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器,所述光子探测器基于源漏沟道结构,且源漏沟道为非对称结构,所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控,光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包...
杨晓红聂诚磊史章淳倪海桥韩勤
文献传递
量子点单光子探测器的研究进展被引量:4
2013年
量子点单光子探测器具有可保持测试信号完整性、理论量子效率高、工作电压低等优点,同时具有室温单光子探测的潜力,最近得到了广泛的研究。文章介绍了基于三种不同形式量子点的单光子探测器,讨论了它们的工作原理,对比了各自的性能和参数,总结了各种器件的特点,说明了自组织量子点单光子探测的优越性能。
聂诚磊杨晓红韩勤
关键词:单光子探测器量子点量子效率
共1页<1>
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