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一种GaN基宽蓝光波长LED外延片及其应用: 本发明提供了一种GaN基宽蓝光波长LED外延片及其应用，其目的在于解决窄蓝光波长芯片激发黄光荧光粉封装白光LED的显色性不足的问题。该InGaN/GaN多量子阱宽蓝光波长LED外延结构从衬底开始，依次为GaN缓冲层、Ga...; 章勇肖汉章李正凯罗长得; 文献传递

宽蓝光波长LED芯片及其应用研究: LED照明是未来照明领域的发展趋势，白光LED技术的发展则引领着LED照明走向未来。LED照明在对比传统的照明灯具时，具有体积小、发光效率高、发热量小、节能等优势，然而，白光LED照明技术则仍然存在着不少问题，如显色性的...; 肖汉章; 关键词：LED照明多量子阱

GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管被引量：5: 2013年; 针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12∶Ce3+黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题,提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3+黄光荧光粉实现高显色性白光发射法,并分析了其可行性.利用金属有机化学气相沉积系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管,并对不同GaN垒层厚度的双蓝光波长发光二极管的光电性能进行分析,结果表明沿n-GaN到p-GaN方向减小GaN垒层厚度能实现双蓝光发射,并有较好的发光效率.交流阻抗谱结果显示相关双蓝光波长发光二极管可以用一个电阻Rp与电容Cp并联后与一个Rs串联电路来模拟,GaN垒层变化能调节并联电阻和电容,对串联电阻没有影响.此外,基于垒层减小的双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3+荧光粉实现了高显色指数的白光发射.; 李正凯严启荣罗长得肖汉章章勇; 关键词：GAN INGAN

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肖汉章