浦海峰
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生更多>>
- 新型氧化物薄膜晶体管材料及工艺研究
- 非晶氧化物半导体(AOS)薄膜晶体管(TFTs)凭借其高迁移率、可见光区高透明性、低温制备等优点，在液晶显示器、有机发光二极管、全透明器件及柔性电子等领域具有潜在的应用前景而受到广泛关注。虽然AOS-TFTs已被认为最有...
- 浦海峰
- 文献传递
- 上海青浦地区2016—2017年高龄人群血清胃蛋白酶原Ⅰ、Ⅱ的筛选试验被引量：1
- 2018年
- 目的探讨血清胃蛋白酶原Ⅰ(PG-Ⅰ)、Ⅱ(PG-Ⅱ)水平的一致性、可变性。方法血清PG-Ⅰ、PG-Ⅱ检测采用酶联免疫吸附法,其中PG-Ⅰ<41 ng/mL和(或)胃蛋白酶原Ⅰ/Ⅱ比值(PGR)<3.1的受试者行电子胃镜检查。结果 PG-Ⅰ<12 ng/mL的受试者中,PG-Ⅰ和PGR在2年间检测结果比较无显著差异(P>0.05);在PG-Ⅰ12~41 ng/mL的受试者中,PG-Ⅰ和PGR在2年间检测结果比较有显著差异(P<0.01)。结论 PG-Ⅰ和PGR检测结果对胃镜检查的选择具有指导意义。
- 陆林其计雪萍任丽萍浦海峰
- 关键词：胃镜检查
- 一种氧化铝钛薄膜及其制备方法和应用
- 本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种氧化铝钛薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶胶凝胶法制备氧化铝钛薄膜。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为添加剂，将Al(C<Sub>4</Sub>H<Sub>9</Sub>O)<...
- 浦海峰张群
- 文献传递
- 氧化物半导体沟道层和高介电常数绝缘层材料的研究
- 物薄膜晶体管(TFT)因具有载流子迁移率高、关态电流小、宽禁带和工艺温度低等特点,在高分辨率、大面积、柔性、3D、透明和OLED等新型显示技术领域显示出良好的应用前景.氧化物半导体沟道层材料和栅介质层材料及其界面特性对氧...
- 张群李洪磊浦海峰崔璨严海
- 关键词：电学性能
- 一种氧化镁钛高介电常数薄膜及其制备方法和应用
- 本发明属于氧化物介质层薄膜技术领域，具体为一种氧化镁钛高介电常数薄膜及其制备方法和应用。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为稳定剂，将Mg(OC<Sub>2</Sub>H<Sub>5</Sub>)<Sub>2</Sub>...
- 浦海峰张群
- 文献传递
- 溶液法制备氧化铝介质层的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管
- 2014年
- 采用旋涂法制备了氧化铝栅介质层薄膜.通过XRD和AFM分析表征了薄膜的结晶性和表面平整性.分光光度计测试表明薄膜在可见光范围的平均透射率大于85%.采用MIM结构研究其漏电流密度,在电场强度为1MV/cm时仅为3×10-9 A/cm2,表明可以用作栅介质层.以旋涂法涂覆的a-IZO薄膜为沟道层、旋涂法涂覆的氧化铝为介质层,制备了底栅结构的氧化物薄膜晶体管.测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强型模式,器件场效应迁移率为1.4cm2/(V·s),电流开关比约为105,阈值电压为2.2V,显示出相对较好的器件性能.
- 庞抒见浦海峰张群
- 关键词：介质层薄膜晶体管旋涂法
- 一种基于溶胶凝胶法的低温制备氧化铟镓锌半导体薄膜的方法
- 非晶氧化物半导体因具有迁移率高、可见光透明性好、表面平整和可以室温制备等优良性能,作为非晶硅的替代材料受到广泛的关注。利用氧化物半导体制作透明氧化物薄膜晶体管,实现了比非晶硅薄膜晶体管性能高出1-2个数量级的结果。因此如...
- 浦海峰张群
- 关键词：半导体薄膜溶胶凝胶法氧化铟
- 文献传递
- 沟道层厚度变化对于IZO薄膜晶体管偏压稳定性的影响
- 伴随着薄膜晶体管(TFT)的不断发展，不稳定性成为其在先进显示技术应用领域中的制约因素。本课题组率先进行了沟道层厚度对于非晶氧化铟锌薄膜晶体管稳定性能影响的研究。窒温下通过射频磁控溅射在玻璃基板上制备了具有不同厚度沟道层...
- 杨曌张力李洪磊浦海峰张群
- 一种溶胶凝胶法制氧化铟镓锌半导体薄膜的方法
- 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，具体为一种溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌（IGZO）半导体薄膜的低温处理方法。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，单乙醇胺为稳定剂，将In(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>·4....
- 浦海峰张群
- 文献传递
- 溶液法制备具有PMMA介质层的LZTO氧化物薄膜晶体管
- 岳兰浦海峰张群
