吴开拓
- 作品数：15 被引量：34H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 基于Si基集成技术的智能传感器应用被引量：1
- 2018年
- 随着传感器向小型化、集成化、智能化方向发展,以微机电系统(MEMS)和集成电路(IC)工艺技术为基础制备智能传感器,已成为传感器领域的研究热点。本文介绍了传感器发展的历程,详述了智能传感器中Si基集成技术的单片集成(异质生长和离子注入剥离)和混合集成技术两类三种实现方法,并结合国内外现状,介绍了其在磁性、红外、热敏传感器的典型应用。
- 吴开拓张继华张万里
- 关键词：智能传感器MEMSIC
- 一种ZnO-TiO<Sub>2</Sub>基微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种ZnO‑TiO<Sub>2</Sub>基微波介质陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料化学通式为：(Zn<Sub>0.98‑x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>)<Sub>1‑<b...
- 孙成礼余荥桦吴开拓夏宇
- 超宽可调谐振器
- 超宽可调谐振器，涉及微波器件，本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环，高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离，高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻...
- 张继华郑懿陈宏伟吴开拓
- 一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法
- 本发明公开了一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法，属于半导体传感器以及集成电路封装技术领域，通过在SOI晶圆的(100)晶面上制备惠斯通电桥实现，惠斯通电桥包括首尾依次通过传输接口连接的第一线形电阻R1、第一L形电阻...
- 吴开拓王韬张万里闫裔超邬春阳
- 一种超宽带正交调制器片上巴伦的设计被引量：1
- 2016年
- 采用0.18μm GeSi BiCMOS工艺,通过调节中心抽头位置、设计八边形螺旋电感、添加屏蔽层、优化线圈外径与金属线宽等方法,设计了一种平衡性好、插入损耗小的片上巴伦。创新性地在HFSS模型中引入GSG焊盘,避免了去嵌入处理的复杂计算与计算误差。仿真结果表明:在500 MHz频率处,电路的插入损耗为3.5dB,幅度不平衡度为0.13dB,相位不平衡度为0.38°;在4GHz频率处,插入损耗为1.8dB,幅度不平衡度为1.62dB,相位不平衡度为2.85°。对样品的S参数幅度及相位进行测试,实测结果与仿真值吻合。该巴伦可应用于500 MHz^4GHz的超宽带正交调制器中,具有较好的应用前景。
- 廖奎旭范超吴开拓闫翔宇
- 关键词：超宽带仿真HFSSS参数
- SiO_2-TiO_2/聚四氟乙烯复合材料的制备及热膨胀性能被引量：28
- 2013年
- 为了使微波基板材料与Cu金属衬底的热膨胀性能匹配，对陶瓷/聚四氟乙烯（PTFE）微波复合基板材料的热膨胀性能进行了研究。采用湿法工艺制备了以SiO2和TiO2为填料的SiO2-TiO2/PTFE复合材料，研究了复合材料密度、填料粒度和填料体积分数对SiO2-TiO2/PTFE复合材料热膨胀性能的影响。结果表明，当SiO2的体积分数由0增至40%（TiO2 ：34%~26%）时，SiO2-TiO2/PTFE复合材料的线膨胀系数（CTE）由50.13×10-6 K-1减小至10.03×10-6K-1。陶瓷粉体粒径和复合材料密度减小会导致CTE减小。通过ROM、Turner和Kerner模型计算CTE发现，ROM和Kerner模型与实验数据较相符，而实验值与Turner模型预测值之间的差异随PTFE含量的升高而逐渐增大。
- 闫翔宇袁颖张树人吴开拓崔毓仁
- 关键词：复合材料聚四氟乙烯TIO2SIO2线膨胀系数
- 烧结工艺对SiO_2-TiO_2/PTFE复合材料性能的影响被引量：3
- 2014年
- 采用湿法工艺,并通过马弗炉烧结与热压烧结,制备了SiO2与TiO2共同填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料。系统研究了两种填料不同掺杂比及不同烧结工艺对复合材料密度、显微结构、介电性能和热膨胀性能的影响。结果表明,与马弗炉烧结相比,热压烧结工艺制备的复合材料具有更稳定的密度和较小的吸水率,但介电损耗较高;ROM和Kerner模型能较好地对线膨胀系数进行预测,其理论值与实验值的变化规律一致。对于用2种烧结方法制备的复合材料,通过Lichtenecker对数法则计算所得介电常数与实验值均较吻合。
- 闫翔宇袁颖吴开拓崔毓仁
- 关键词：复合材料TIO2SIO2热压烧结
- 超宽可调谐振器
- 超宽可调谐振器，涉及微波器件，本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环，高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离，高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻...
- 张继华郑懿陈宏伟吴开拓
- 文献传递
- 一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法
- 本发明公开了一种单轴敏感的集成应力传感器及其设计方法，属于半导体传感器以及集成电路封装技术领域，通过在SOI晶圆的(100)晶面上制备惠斯通电桥实现，惠斯通电桥包括首尾依次通过传输接口连接的第一线形电阻R1、第一L形电阻...
- 吴开拓王韬张万里闫裔超邬春阳
- 一种聚四氟乙烯复合微波陶瓷基板的制备方法
- 本发明公开了一种聚四氟乙烯复合微波陶瓷基板的制备方法，属于材料技术领域。本发明采用（1-x）ZrTi<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>-xZnNb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>的Zr-...
- 袁颖吴开拓周晓华张树人
- 文献传递
