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张婧娇

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：苏州大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 3篇过渡层
  • 3篇超导
  • 2篇硅基
  • 2篇超导材料
  • 1篇导电
  • 1篇电性能
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结器件
  • 1篇制作方法
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能
  • 1篇物理性能
  • 1篇基底
  • 1篇厚度
  • 1篇NBT
  • 1篇PSG
  • 1篇超薄薄膜
  • 1篇超导电性

机构

  • 4篇苏州大学

作者

  • 4篇张婧娇
  • 3篇苏晓东
  • 2篇郑磊
  • 1篇王晨

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法
本发明制备一种硅基氮化铌薄膜超导材料，包括Si基底、TiN过渡层，以及NbN层。由于直接在Si基片上生长NbN薄膜有较大的晶格失配度，会导致NbN薄膜中存在一定厚度非超导的界面畸变层，严重降低NbN的超导性能。而TiN和...
苏晓东张婧娇郑磊
铁电基异质结器件的制备及其物理性能调控研究
近年来，将铁电与半导体材料集成到一个器件中从而实现器件的多功能是当前国际铁电学研究中最活跃的领域。事实上，这些器件均具有异质结结构或是将铁电薄膜制作在特定的具有微电子或光电功能的衬底上，或是将其他功能的薄膜材料制备在铁电...
张婧娇
关键词：物理性能铁电薄膜铁电性能
一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法
本发明制备一种硅基氮化铌薄膜超导材料，包括Si基底、TiN过渡层，以及NbN层。由于直接在Si基片上生长NbN薄膜有较大的晶格失配度，会导致NbN薄膜中存在一定厚度非超导的界面畸变层，严重降低NbN的超导性能。而TiN和...
苏晓东张婧娇郑磊
文献传递
共溅射生长硅基NbTiN超导超薄薄膜的研究
硅基超导单光子(SSPD)和热电子测热(HET)器件等近年来受到广泛关注，制备高质量硅基NbTiN 超导超薄薄膜(～5nm)对于此类应用具有重要的意义.针对NbTiN 与硅基片晶格失配度较高导致超导性能的下降的难题，本文...
苏晓东张婧娇王晨
关键词：超导电性
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