- 一种用于集成电路输出级ESD保护的SCR结构
- 一种用于集成电路输出级ESD保护的SCR结构，属于电子技术领域。包括两种类型的SCR结构。第一类SCR结构集成了2个等效的PMOS和2个等效的NMOS，提供PS、PD模式和VDD-VSS之间的ESD防护；其中PMOS连接...
- 蒋苓利樊航林丽娟张波
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N<Su...
- 蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤
- 衬底寄生电阻对高压器件ESD性能的影响被引量：2
- 2011年
- 随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视。从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的影响,采用几种结构,对上述参数进行优化,并在0.35μm BCD工艺下进行流片试验。测试结果表明,优化衬底电阻可以有效地提高器件的ESD泄放能力,最优结构的二次击穿电流由原始器件的0.75A增大到3.3A。
- 林丽娟喻钊韩山明蒋苓利张波
- 关键词：ESD高压器件
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N<Su...
- 蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤
- 文献传递
- ESD应力下LDMOS器件软失效的分析及优化被引量：1
- 2012年
- 分析了发生软失效的两种原因:电场诱导和热诱导。针对一种采用0.35μm BCD工艺的LDMOS器件,讨论了改变器件漂移区长度对软泄漏电流的影响。最终通过对漂移区长度以及源端和衬底接触间距的优化,消除了器件原先存在的软泄漏电流现象,并且没有过分增大器件的触发电压。
- 韩山明林丽娟喻钊蒋苓利张波
- 关键词：ESDLDMOS
- 基于20V NLDMOS结构的ESD防护器件的设计
- 随着半导体集成电路工艺技术的发展，集成电路芯片越来越容易受ESD（Electrostatic Discharge,静电放电）问题的影响。目前，工业界大约高达30％的集成电路芯片的失效来源于ESD问题，每年给半导体产业带来...
- 林丽娟
- 关键词：集成电路优化设计
- 一种用于集成电路输出级ESD保护的SCR结构
- 一种用于集成电路输出级ESD保护的SCR结构，属于电子技术领域。包括两种类型的SCR结构。第一类SCR结构集成了2个等效的PMOS和2个等效的NMOS，提供PS、PD模式和VDD-VSS之间的ESD防护；其中PMOS连接...
- 蒋苓利樊航林丽娟张波
- 文献传递
