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刘志平

作品数:7 被引量:34H指数:3
供职机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
相关领域:电气工程动力工程及工程热物理经济管理更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇动力工程及工...

主题

  • 4篇电池
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硅
  • 3篇晶体硅
  • 2篇镀膜
  • 2篇镀膜工艺
  • 2篇太阳电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇企业
  • 2篇晶体硅太阳能...
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇硅太阳能电池
  • 2篇PECVD
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅太阳电...
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇地产
  • 1篇电子商务

机构

  • 7篇北京交通大学
  • 2篇北京中联科伟...

作者

  • 7篇刘志平
  • 4篇赵谡玲
  • 3篇刘金虎
  • 3篇徐征
  • 2篇李栋才
  • 1篇海博
  • 1篇俎云燕
  • 1篇杨绪红
  • 1篇张文杰
  • 1篇琚泽钧
  • 1篇韩允

传媒

  • 3篇太阳能学报
  • 1篇中国质量
  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2003
  • 1篇2001
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
环境变革中的房地产企业发展研究
企业生命周期理论、企业能力理论和企业成长理论从不同的角度阐释了企业的发展问题.但是,对于房地产这个特殊性较强的行业而言,房地产企业发展的根本原因是什么?房地产企业如何发展?房地产企业的发展能力和潜力如何评价?该论文试图从...
刘志平
关键词:房地产业企业家战略联盟
文献传递
中国企业建立B to B电子商务体系的质量保证——谈质量功能展开(QFD)方法的应用被引量:2
2001年
电子商务和国内企业 电子商务(Electronic Commerce)是在Internet开放的网络环境下,基于浏览器/服务器应用方式,实现消费者的网上购物、商户之间的网上交易和在线电子支付的一种新型的商业运营模式。它起源于80年代中期的EDI(电子数据交换),90年代初期与Internet技术相融合,从而得以迅猛发展。Internet本身所具有的开放性、全球性、低成本、高效率的特点,也成为电子商务的内在特征,并使得电子商务大大超越了作为一种新的贸易形式所具有的价值,它不仅会改变企业本身的生产、经营、管理活动,而且将影响到整个社会的经济运行与结构。
琚泽钧杨绪红刘志平张文杰
关键词:企业电子商务体系QFD顾客需求
磷浆法制备选择性发射极单晶硅太阳电池的研究被引量:3
2013年
改变常规单晶硅太阳电池生产工艺,制备了选择性发射极太阳电池。主要方法是扩散之前,在电极区域印刷一层磷浆作为磷源对电极区域进行重扩散;与此同时,在非电极区域采用POCl3作为磷源轻扩散。以此方法制备了选择性发射极高效太阳电池,且与常规工艺电池片进行对比测试。经过测试,转换效率比常规工艺电池片高0.6%。
韩允赵谡玲徐征俎云燕海博刘金虎刘志平
关键词:太阳电池选择性发射极丝网印刷
双层氮化硅减反膜晶体硅太阳能电池的研究
减反射膜在太阳能电池上的应用已极为广泛,主要起两方面的作用,一是为了减少光的反射,二是增加钝化作用,但是往往这两方面都是矛盾的,双层膜恰好能够综合这两面的因素。   为了整合氮化硅薄膜各方面的优势,达到优势最大化的目的...
刘志平
关键词:氮化硅钝化工艺
晶体硅太阳电池扩散工艺研究被引量:6
2012年
作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。
刘金虎徐征赵谡玲刘志平李栋才
关键词:方块电阻均匀性
PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究被引量:22
2011年
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。
刘志平赵谡玲徐征刘金虎李栋才
关键词:PECVD氮化硅镀膜工艺少子寿命
晶体硅太阳能电池PECVD工艺研究
采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及其钝化效果的影响,从而更好的指导及控制...
刘志平赵谡玲徐征刘金虎李栋才
关键词:硅太阳能电池氮化硅镀膜工艺PECVD法
文献传递
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