艾万勇
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- BaTiO_3/Si界面扩散与控制方法研究被引量：3
- 2005年
- 利用激光分子束外延(LMBE)方法在Si(100)基片上直接生长BaTiO3(BTO)铁电薄膜。通过俄歇电子能谱(AES),X光电子能谱(XPS)等分析手段系统研究了在Si基片上直接生长BTO铁电薄膜过程中的界面扩散现象。根据研究得到的BTO/Si界面扩散规律,采用一种新型的“温度梯度调制生长方法”减小、抑制BTO/Si界面互扩散行为,实现了BTO铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长,为在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的BTO铁电薄膜奠定了基础。
- 罗文博张鹰李金隆朱俊艾万勇李言荣
- 关键词：钛酸钡硅俄歇电子能谱X光电子能谱
- 异质外延MgO/SrTiO_3薄膜中界面应力研究被引量：1
- 2005年
- 本文利用激光分子束外延 (LMBE)技术在SrTiO3 (10 0 )单晶基片上外延生长MgO薄膜 ,同时又在MgO(10 0 )单晶基片上外延生长SiTiO3 (STO)薄膜。通过反射高能电子衍射 (RHEED)仪原位实时监测薄膜生长 ,研究薄膜的生长过程。并结合X射线衍射 (XRD)仪来分析在不同的生长条件下 ,不同应力对薄膜外延生长的影响。在压应力情况下 ,MgO薄膜在STO基片上以单个晶胞叠层的方式生长 ,即以“CubiconCubic”方式进行外延 ;在张应力情况下 ,由于膜内位错较多 ,STO薄膜在MgO基片上以晶胞镶嵌的方式进行生长 ,即以“Mosaic”结构进行外延 ;提高生长温度 ,可以减少膜内位错 ,提高外延质量 ,使STO薄膜在MgO基片上以较好的层状方式外延生长。
- 郑亮张鹰李金隆蒋书文姬洪艾万勇陈寅李言荣
- 关键词：薄膜生长界面应力晶胞反射高能电子衍射
- 导电氧化物SrRuO3薄膜的生长及铁电集成性研究
- 铁电薄膜由于具有一系列重要的特性而应用广泛，目前铁电薄膜在其各种功能器件的应用中电极材料主要是Pt等贵金属。由于金属电极与铁电材料在结构上不匹配，难以在电极上生长外延铁电薄膜，而且金属电极存在易氧化，附着能力差，与薄膜之...
- 艾万勇
- 关键词：脉冲激光沉积法
- 文献传递
- 导电氧化物SrRuO<sub>3</sub>薄膜的生长及铁电集成性研究
- 铁电薄膜由于具有一系列重要的特性而应用广泛,目前铁电薄膜在其各种功能器件的应用中电极材料主要是Pt等贵金属。由于金属电极与铁电材料在结构上不匹配,难以在电极上生长外延铁电薄膜,而且金属电极存在易氧化,附着能力差,与薄膜之...
- 艾万勇
- 关键词：SROBST
- PLD方法制备CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜结构研究被引量：1
- 2007年
- 采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CC-TO)薄膜。在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现(400)取向生长,740℃薄膜可以实现cubic-on-cubic的方式外延生长。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析分别显示CCTO薄膜的表面平整,界面清晰。后位的反射高能电子衍射(RHEED)观察到CCTO薄膜的电子衍射图谱,为点状。在MgO基片上,由于薄膜与基片较大的晶格失配,通过生长具有(100)和(110)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层,诱导后续生长的CCTO薄膜随着温度的提高,由(220)取向生长转变成(220),(400)取向生长。
- 接文静朱俊魏贤华张鹰罗文博艾万勇李言荣
- 关键词：PLDRHEED
