赵宏宇
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 供职机构：长春理工大学理学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 脉冲串激光辐照光电二极管损伤的数值研究被引量：2
- 2017年
- 所有的光电探测器在受到激光辐照时都可能被损坏,对探测器的性能产生不利的影响。为了研究脉冲串激光辐照对光电二极管造成的损伤,建立了脉冲串激光辐照光电二极管的二维轴对称模型及热源模型,采用有限元软件COMSOL Multiphysics模拟了1064nm毫秒级脉冲串激光辐照光电二极管的温度场分布。研究结果表明脉冲个数N为1,3,5,10,30的脉冲激光辐照下,达到光电二极管的熔融损伤阈值所需的脉冲能量密度范围为19.176.4J/cm^2。研究结果对毫秒级脉冲串激光在激光加工以及激光防护的应用方面具有指导意义。
- 赵宏宇魏智金光勇
- 关键词：探测器高斯脉冲光电二极管损伤阈值
- 毫秒脉冲激光致硅光电二极管电学损伤的有限元分析及实验研究被引量：3
- 2017年
- 为了研究毫秒脉冲激光致硅基PIN光电二极管电学损伤,基于热传导及弹塑性力学理论,在光电二极管内部材料各向同性并且P-I-N三层结构之间满足温度连续和热流平衡条件下,建立毫秒脉冲激光辐照硅基PIN光电二极管二维轴对称模型,采用有限元方法模拟分析了1064 nm Nd:YAG毫秒量级脉冲激光辐照硅基PIN光电二极管的温度场与应力场分布,并实验测量了硅基PIN光电二极管实验前后的电学参数.结果表明,激光辐照硅基PIN光电二极管时,温升使材料表面熔融、烧蚀,并且在空间上存在温度梯度变化,即激光辐照产生的热与应力使光敏面及硅晶格晶键损伤,最终造成光电探测器的探测性能下降.研究结果可为毫秒脉冲激光辐照硅基PIN光电二极管电学损伤机理奠定基础.
- 赵宏宇王頔魏智金光勇
- 关键词：光电二极管响应度暗电流
