您的位置： 专家智库 > >

刘腾飞

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇晶体管
  • 7篇薄膜晶体
  • 7篇薄膜晶体管
  • 6篇电极
  • 5篇溅射
  • 4篇栅电极
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇低驱动电压
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇梯度掺杂
  • 2篇驱动电压
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管器件
  • 2篇反应溅射

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇刘腾飞
  • 4篇袁毅
  • 4篇张磊
  • 4篇周斌
  • 3篇陈志
  • 3篇魏雄邦
  • 3篇全勇
  • 3篇肖伦
  • 2篇周涛

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 3篇2017
  • 2篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
基于复合绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管制备及其性能研究
自2003年细野秀雄教授发现并首次应用非晶态的氧化铟稼锌薄膜材料（Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide，a-IGZO）制备薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）以...
刘腾飞
关键词：反应磁控溅射
基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法
本发明公开了一种基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法，属于电子技术领域，为解决反应溅射氧化铝表面的粗糙度高以及出现针孔现象对IGZO薄膜晶体管性能的破坏，本发明提供了一种基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及...
张磊周斌张珊珊袁毅刘腾飞
文献传递
基于有机绝缘层的梯度掺杂IGZO薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供一种基于有机绝缘层的梯度掺杂IGZO薄膜晶体管，涉及电子技术领域，包括从下至上依次排列的衬底、栅电极、有机绝缘层、梯度掺杂IGZO半导体层，梯度掺杂IGZO半导体层上并列设有源电极和漏电极，其中，梯度掺杂IGZ...
张磊周斌张珊珊刘腾飞袁毅
文献传递
基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法
本发明公开了一种基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法，属于电子技术领域，为解决反应溅射氧化铝表面的粗糙度高以及出现针孔现象对IGZO薄膜晶体管性能的破坏，本发明提供了一种基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及...
张磊周斌张珊珊袁毅刘腾飞
一种新型底栅结构的柔性薄膜晶体管及其制备方法
一种新型底栅结构的柔性薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体薄膜晶体管技术领域。所述薄膜晶体管自下而上依次为柔性衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，所述栅电极和源漏电极为银纳米线薄膜，所述绝缘层为PMMA薄膜。本发明薄膜...
魏雄邦全勇肖伦陈志刘腾飞庞韩英
文献传递
一种柔性压力传感器与薄膜晶体管的集成器件及制备方法
一种柔性压力传感器与薄膜晶体管的集成器件及其制备方法，属于传感器领域。包括底层柔性衬底，位于底层柔性衬底之上的栅电极和压力传感器电极，位于栅电极之上的有源层，位于部分栅电极、部分底层柔性衬底、传感器电极之上的敏感层，位于...
魏雄邦全勇肖伦陈志刘腾飞周涛
文献传递
基于有机绝缘层的梯度掺杂IGZO薄膜晶体管及其制备方法
本发明提供一种基于有机绝缘层的梯度掺杂IGZO薄膜晶体管，涉及电子技术领域，包括从下至上依次排列的衬底、栅电极、有机绝缘层、梯度掺杂IGZO半导体层，梯度掺杂IGZO半导体层上并列设有源电极和漏电极，其中，梯度掺杂IGZ...
张磊周斌张珊珊刘腾飞袁毅
一种柔性压力传感器与薄膜晶体管的集成器件及制备方法
一种柔性压力传感器与薄膜晶体管的集成器件及其制备方法，属于传感器领域。包括底层柔性衬底，位于底层柔性衬底之上的栅电极和压力传感器电极，位于栅电极之上的有源层，位于部分栅电极、部分底层柔性衬底、传感器电极之上的敏感层，位于...
魏雄邦全勇肖伦陈志刘腾飞周涛
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0