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段志华

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇铁电
  • 5篇铁电薄膜
  • 5篇铁电薄膜材料
  • 3篇钛酸铅
  • 3篇铌镁酸铅
  • 3篇铌
  • 2篇单晶
  • 2篇电传感器
  • 2篇压电
  • 2篇元件
  • 2篇热释电
  • 2篇热释电传感器
  • 2篇无铅
  • 2篇居里
  • 2篇居里点
  • 2篇聚对二甲苯
  • 2篇感器
  • 2篇高居里点
  • 2篇铅
  • 2篇铟

机构

  • 11篇华东师范大学

作者

  • 11篇段志华
  • 7篇石旺舟
  • 7篇王涛
  • 3篇李传青
  • 2篇张毅

年份

  • 2篇2025
  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用
本发明涉及一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包括Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底以及自内向外依次沉积在衬底表面的导电缓冲层和薄膜层，所述导电缓冲层为镧锶钴氧，薄膜层为锰掺杂...
王飞飞王佳盛黎梓浩赵祥永王涛唐艳学段志华石旺舟
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铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料及制备与应用
本发明涉及一种铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包含自下而上依次设置的衬底、导电缓冲层和薄膜层，所述薄膜层为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅，化学组成为(1‑x‑y)Pb(In<Sub>1/...
王飞飞杨嘉倩段志华李传青赵祥永王涛唐艳学石旺舟
文献传递
一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法
本发明一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法，涉及高频超声换能器技术领域。所述高频超声换能器由声匹配层(1)，发声材料(2)，背衬层(3)，金属外壳(4)组成，工作频率为20MHz至300MHz。其中，声匹配层(1)...
赵祥永马金鹏王飞飞唐艳学范方元薛赛东段志华张毅石旺舟
文献传递
一种基于高居里点弛豫铁电体单晶的火焰探测器
本发明涉及一种基于高居里点弛豫铁电体单晶的火焰探测器，包括外壳、底板、壳盖、PCB板组、主控模块和红外传感器；底板和壳盖分别安装在外壳的两端，PCB板组设置在外壳内部，且为多层结构，主控模块和红外传感器相互连接，并分别固...
王飞飞王兴顺方聪段志华王涛唐艳学赵祥永
铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料及制备与应用
本发明涉及一种铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包含自下而上依次设置的衬底、导电缓冲层和薄膜层，所述薄膜层为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅，化学组成为(1‑x‑y)Pb(In<Sub>1/...
王飞飞杨嘉倩段志华李传青赵祥永王涛唐艳学石旺舟
一种具有绝热结构的热释电传感器及制备方法
本发明涉及一种具有绝热结构的热释电传感器及制备方法，该传感器包括热释电敏感元、支架结构和用于读出电路的PCB电路板，所述支架结构包括绝热支架和导电件，所述绝热支架为四端扁平的十字架结构，所述导电件嵌设在绝热支架的中心位置...
王飞飞王兴顺方聪段志华王涛唐艳学赵祥永
一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法
本发明一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法，涉及高频超声换能器技术领域。所述高频超声换能器由声匹配层(1)，发声材料(2)，背衬层(3)，金属外壳(4)组成，工作频率为20MHz至300MHz。其中，声匹配层(1)...
赵祥永马金鹏王飞飞唐艳学范方元薛赛东段志华张毅石旺舟
一种三元系弛豫铁电薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及一种三元系弛豫铁电薄膜材料及其制备和应用，材料的化学组成为(1‑x‑y)Pb(In<Sub>1/2</Sub>Nb<Sub>1/2</Sub>)O<Sub>3</Sub>‑yPb(Mg<Sub>1/3</Sub...
王飞飞黎梓浩王宇纯赵祥永王涛唐艳学段志华石旺舟
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钙钛矿铁电材料的晶格振动和相变规律研究
铁电氧化物是一类重要的信息功能材料体系,被广泛应用在数据存储和光电探测等领域,其中钙钛矿铁电材料,特别是多铁铁酸铋薄膜在室温下同时具有铁电性和反铁磁性,具有良好的磁电耦合、高极化率和光伏效应。此外,铁电陶瓷[PbZZr1...
段志华
关键词：钙钛矿结构椭圆偏振光谱晶格振动相变
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大尺寸压电薄膜晶圆的减薄方法以及制备的压电薄膜晶圆
本发明涉及压电薄膜晶圆的制备，属于MEMS领域。一种大尺寸压电薄膜晶圆的减薄方法，其特征在于包括如下步骤：首先，通过衬底图形化工艺，在衬底上制备出一个高度略大于或者等于薄膜晶圆目标厚度的限位凹槽，然后将压电晶圆键合在所述...
赵祥永杨继业段志华王飞飞
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