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王鹏
作品数:
18
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电气工程
电子电信
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合作作者
李明
中国科学院半导体研究所
陈诺夫
中国科学院半导体研究所
李伟
中国科学院半导体研究所
戴瑞烜
中国科学院半导体研究所
白一鸣
中国科学院半导体研究所
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中国科学院
作者
18篇
王鹏
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李明
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陈诺夫
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李伟
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戴瑞烜
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白一鸣
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年份
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2024
5篇
2007
1篇
2006
共
18
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具有布拉格反射器的n<Sup>+</Sup>/p型高抗辐照GaAs太阳电池
一种具有布拉格反射器的n<Sup>+</Sup>/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构,包括:一衬底,该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一布拉格反射器结构,该布拉格反射器结构制作在缓...
白一鸣
陈诺夫
戴瑞烜
王鹏
王晓东
文献传递
一种薄膜锆钛酸铅干法深刻蚀方法
本发明提供一种薄膜锆钛酸铅干法深刻蚀方法,涉及光电集成技术领域,用于解决现有刻蚀技术中无法实现薄膜锆钛酸铅高侧壁陡直度和光滑侧壁的问题。包括:提供待刻蚀的薄膜锆钛酸铅基片;在薄膜锆钛酸铅基片上沉积铬金属薄膜层;在铬金属薄...
李明
官泽豪
谢毓俊
赵洸铭
王鹏
非易失性C+L波段窄线宽可调谐激光器
本发明提供了一种非易失性C+L波段窄线宽可调谐激光器,包括:C+L波段光源,用于产生C+L波段激光;第一模斑转换器,用于调节C+L波段激光的光斑形状,得到第一光信号;宽带可调谐滤波芯片,包括级联的两个非易失性相变材料异质...
李明
王鹏
谢毓俊
邹思硕
林宏焘
李昂
屈杨
金烨
魏茂良
非易失性光收发片上集成系统
本发明提供了一种非易失性光收发片上集成系统,涉及半导体光电集成技术领域,用于至少部分解决目前光子芯片尺寸大且静态功耗高的技术问题。系统包括:硅基异质集成光学平台,由下至上包括硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅薄膜层、非易失性相变...
李明
王鹏
谢毓俊
贠亦婷
林宏焘
李昂
杨梦涵
王道发
魏茂良
基于锆钛酸铅薄膜波导的非对称非均匀光栅耦合器
本发明提供了一种基于锆钛酸铅薄膜波导的非对称非均匀光栅耦合器,涉及光电集成器件技术领域,包括:光子芯片及光纤(8);光子芯片从下至上依次包括衬底硅(1)、埋氧层(2)、硅反射层(3)、氧化硅隔离层(4)、锆钛酸铅薄膜层(...
王道发
李明
谢毓俊
王鹏
硅/单晶薄膜锆钛酸铅异质集成光学平台及其制备方法
本发明提供了一种硅/单晶薄膜锆钛酸铅异质集成光学平台,可应用于光电集成技术领域,该平台包括:硅器件区、键合层和锆钛酸铅器件区,其中,硅器件区和锆钛酸铅器件区分别键合在键合层的相对两侧;硅器件区包括硅耦合器以及硅基光电探测...
李明
王鹏
谢毓俊
赵洸铭
邱枫
官泽豪
微环调制器
本公开提供了一种微环调制器,包括:第一电极,第一电极上形成有开口;第二电极,设置在开口内,第二电极和第一电极围成环形空间;环形波导,设置在环形空间内,环形波导基于锆钛酸铅材料制备,其中,环形波导包括第一直线波导,第一直线...
李明
彭杰
谢毓俊
邱枫
赵洸铭
李伟
王鹏
单片集成光电融合互连芯片及其制备方法
本发明提供了一种单片集成光电融合互连芯片及其制备方法,涉及光电集成技术领域,可以解决现有技术制备的互连芯片集成度、带宽和能效较低的问题。方法包括:衬底;介质层,设置于衬底的一侧;保护层,设置于介质层的远离衬底的一侧;其中...
李明
李昂
谢毓俊
祁楠
刘宇
王鹏
基于锆钛酸铅薄膜材料的高速等离激元微环调制器
本公开提供了一种基于锆钛酸铅薄膜材料的高速等离激元微环调制器,包括:第一电极,第一电极上形成有开口;第二电极,设置在开口内,第二电极和第一电极围成环形空间;环形波导,设置在环形空间内,环形波导基于锆钛酸铅材料制备且采用跑...
李明
彭杰
谢毓俊
邱枫
赵洸铭
李伟
王鹏
磁控溅射仪衬底固定夹具
本发明涉及固定夹具技术领域,特别是一种磁控溅射仪衬底固定夹具。用于固定磁控溅射仪所用的衬底。包括:一盖片,该盖片主体为长方形,在其一边有三个方形缺口,两端各有一个通孔;一衬底托,该衬底托为圆形,内部有两个螺丝孔,其孔距与...
王鹏
陈诺夫
尹志岗
杨霏
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