陈墨
- 作品数：24 被引量：4H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 光刻掩模板
- 本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一图案化铬层，所述图案化铬层覆盖于所述基板的表面；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述图案化铬层远离基板的表面，且所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案与所述图案化铬层的图案相同；...
- 陈墨李群庆张立辉金元浩安东范守善
- 文献传递
- 光栅的制备方法
- 本发明涉及一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层远离所述基板的表面设置一第二光刻胶层，该第二光刻胶层的曝光剂量大于第一光刻胶层的曝光剂量；对所述第一光刻胶层...
- 陈墨张立辉李群庆范守善
- 纳米微结构的制备方法
- 本发明涉及一种纳米微结构的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在基板表面设置一光刻胶掩模层，厚度为H；曝光和显影得到一图案化掩模层，该图案化掩模层包括多个条状掩模块，相邻条状掩模块的间隔为L；向基板表面沉积一第一薄膜层，...
- 陈墨张立辉李群庆范守善
- 文献传递
- 光刻掩模板
- 本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管复合结构，设置于所述基板的表面，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及包裹于该碳纳米管层的一金属铬层；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管复合结构远离基板的表面。本发...
- 陈墨李群庆张立辉金元浩安东范守善
- 文献传递
- 纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究被引量：4
- 2009年
- 对100kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究,针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化,在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1:1,线宽为50nm的光栅图形.针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为100nm,占空比为1:1,深度为900nm的光栅图形,光栅的边壁波纹起伏小于5nm.100nm以下深硅刻蚀技术的发展,有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.
- 李群庆张立辉陈墨范守善
- 关键词：电子束光刻反应离子刻蚀
- 光刻掩模板
- 本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管复合结构，设置于所述基板的表面，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及包裹于该碳纳米管层的一金属铬层；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管复合结构远离基板的表面。本发...
- 陈墨李群庆张立辉金元浩安东范守善
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- 纳米级沟道的制备方法
- 本发明涉及一种纳米级沟道的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在基板表面设置一光刻胶掩模层，光刻胶掩模层的厚度为H；对光刻胶掩模层曝光和显影得到一图案化掩模层，包括多个条状掩模块，相邻条状掩模块的间隔距离为L，设定该图案...
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- 碳纳米管辅助的纳米结构制备
- 纳米加工技术是人类了解微观世界的工具,但加工能力往往受设备所限。碳纳米管作为一种新型纳米材料,具有很多独特的物理性质。本文将碳纳米管与纳米加工技术相结合,制备出了突破现有加工能力的纳米结构。首先,利用碳纳米管对紫外光的吸...
- 陈墨
- 关键词：紫外曝光电子束曝光电子束蒸发刻蚀
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- 光刻掩模板
- 本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述第二基板的表面；一图案化铬层，覆盖于所述碳纳米管层远离第二基板的表面，且所述图案化铬层的图案与所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案相同；一遮盖...
- 陈墨李群庆张立辉金元浩安东范守善
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- 薄膜晶体管的制备方法
- 本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面设置一栅极，在该栅极的表面设置一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层的表面设置一半导体层；在该半导体层的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二...
- 陈墨李群庆张立辉肖小阳张金范守善
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