2025年11月15日
星期六
|
欢迎来到三亚市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
刘国珍
作品数:
14
被引量:0
H指数:0
供职机构:
苏州科技大学
更多>>
相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
理学
更多>>
合作作者
高炬
苏州科技大学
赵蒙
苏州科技大学
王彬
苏州科技大学
沈娇艳
苏州科技大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
13篇
专利
1篇
会议论文
领域
2篇
电子电信
2篇
自动化与计算...
1篇
理学
主题
5篇
感器
5篇
传感
5篇
传感器
4篇
电阻
4篇
肖特基
4篇
可调
4篇
二维电子
4篇
二维电子气
3篇
连续可调
3篇
介质
3篇
金属
3篇
金属催化剂
3篇
贵金属
3篇
贵金属催化剂
3篇
催化
3篇
催化剂
3篇
存储器
2篇
单晶
2篇
电介质
2篇
电压
机构
14篇
苏州科技大学
作者
14篇
刘国珍
12篇
高炬
4篇
赵蒙
2篇
沈娇艳
2篇
王彬
年份
3篇
2025
2篇
2024
3篇
2022
2篇
2019
2篇
2018
1篇
2017
1篇
2016
共
14
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器及其制备方法
本发明公开了一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器及其制备方法。传感器的结构为以非晶碳a‑C薄膜/柔性衬底为功能材料,在a‑C薄膜的两端设置银电极,由导电胶引出。本发明提供的压力敏感材料的制备,以硅片为衬底,在衬底上生长氧化层...
姜昱丞
王彬
刘国珍
赵润
高炬
文献传递
一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器
本发明公开了一种基于外光电效应和二维电子气的光学随机存储器,包括:基板衬底,所述基板衬底的内部具有2DEG,所述基板衬底设置有第一金属电极和第二金属电极,利用光照在透明的薄膜上产生光电子,并驱动光电子聚集在氧化物上,改变...
仇杰
刘国珍
高炬
一种敏感膜气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种敏感膜气体传感器及其制备方法。传感器包括内含隔离槽的单晶Si片、热氧化生长的SiO<Sub>2</Sub>、电介质绝缘层、导电层、悬空敏感膜和贵金属催化剂颗粒;先在单晶Si片上制作隔离槽,再沉积电介质绝缘...
赵蒙
刘国珍
沈娇艳
高炬
文献传递
一种基于氧化物二维电子气的阻态可调的低维二端器件
本发明公开了一种基于氧化物二维电子气的阻态可调的低维二端器件的制备方法,包括以下步骤:S1、采用机械剥离法将少层MoTe<Sub>2</Sub>从块材MoTe<Sub>2</Sub>上转移到KTaO<Sub>3</Sub...
仇杰
刘国珍
李举
高炬
姜昱丞
一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用
本发明属于半导体电子材料技术领域,具体涉及一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用,该开路电压连续可调的肖特基结,包括钛酸锶衬底和设在所述钛酸锶衬底上的La<Sub>0.7</Sub>Sr<Sub>0.3</Sub>...
仇杰
刘国珍
高炬
一种NO<Sub>2</Sub>传感器及其制备方法
本发明公开了一种NO<Sub>2</Sub>传感器及其制备方法。传感器包括氧化物单晶基片、WO<Sub>3</Sub>外延薄膜、测试电极和贵金属催化剂,通过测试电极间的WO<Sub>3</Sub>外延薄膜电阻值变化标定环...
赵蒙
高炬
刘国珍
文献传递
二维材料/二维电子气异质结新奇物理特性研究
到现在为止,大部分范德华异质结都由N型或P型二维层状材料构成.然而,另一种有着丰富物理性质的二维体系尚未被应用到范德华异质结的研究中,即二维电子气.正是基于以上考虑,报告人及团队采用首创的离子束辅助轰击方法来实现二维材料...
姜昱丞
刘国珍
一种电阻连续可调的变阻器的制备方法
本发明属于光电探测器件技术领域,提供了一种电阻连续可调的变阻器的制备方法,包括:S1、采用磁控溅射方法,在Si衬底或其他商业化的衬底上生长厚度约100nm的底电极;S2、采用组合式激光分子束外延或分子束外延的方法,在底电...
仇杰
刘国珍
孙虎
丁君豪
一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用
本发明属于半导体电子材料技术领域,具体涉及一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用,该开路电压连续可调的肖特基结,包括钛酸锶衬底和设在所述钛酸锶衬底上的La<Sub>0.7</Sub>Sr<Sub>0.3</Sub>...
仇杰
刘国珍
高炬
文献传递
一种基于GeSe/2DEG范德华异质的可编程存储器装置
本发明属于存储器技术领域,提供了一种基于GeSe/2DEG范德华异质的可编程存储器装置,包括:GeSe/2DEG范德华异质结构,该结构在预先施加正向7伏特偏压极化下;至少一个Au电极,设置于GeSe/2DEG范德华异质的...
刘国珍
仇杰
高炬
孙虎
丁君豪
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张