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唐云

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇退火
  • 2篇离子注入
  • 2篇刻蚀
  • 2篇高温退火
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻值
  • 1篇热氧化
  • 1篇重复利用
  • 1篇阻值
  • 1篇牺牲
  • 1篇离子
  • 1篇击穿
  • 1篇基准值
  • 1篇沟槽式
  • 1篇硅衬底
  • 1篇槽式
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇株洲南车时代...

作者

  • 3篇唐云
  • 2篇罗海辉
  • 2篇刘根
  • 1篇孙小虎
  • 1篇杜龙欢
  • 1篇罗湘

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种沟槽式IGBT栅极的制作方法
本申请公开了一种沟槽式IGBT栅极的制作方法，包括：在硅衬底表面进行刻蚀，形成沟槽；热氧化所述沟槽，在所述沟槽的内表面形成牺牲氧化层；对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质；去除所述牺牲氧化层；在所述沟槽内生长栅...
孙小虎杜龙欢罗湘唐云
文献传递
一种离子注入监控片的重复利用方法
本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e<Sup>15</Sup>i...
尹峙柠罗海辉刘根唐云
文献传递
一种离子注入监控片的重复利用方法
本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e<Sup>15</Sup>i...
尹峙柠罗海辉刘根唐云
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