您的位置： 专家智库 > >

温家良

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华北电力大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇凸台
  • 2篇轴向
  • 2篇轴向位移
  • 2篇芯片
  • 2篇模组
  • 2篇集电极
  • 2篇发射极
  • 1篇电感
  • 1篇电极
  • 1篇压接
  • 1篇压接式
  • 1篇杂散电感
  • 1篇杂散电容
  • 1篇金属
  • 1篇金属电极
  • 1篇回路参数
  • 1篇IGBT器件

机构

  • 3篇国家电网公司
  • 3篇华北电力大学
  • 2篇国网浙江省电...
  • 2篇全球能源互联...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 3篇温家良
  • 2篇张朋
  • 2篇李现兵
  • 1篇李金元

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法
本发明提供了一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法。与现有技术相比，所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极；集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽，固定框架的内部侧...
邓二平李现兵张朋温家良
文献传递
一种功率半导体芯片测试单元
本实用新型提供了一种功率半导体芯片测试单元，所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极；集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽，固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台；集电...
邓二平李现兵张朋温家良
文献传递
一种改进的压接式IGBT器件
本发明提供一种改进的压接式IGBT器件，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有IGBT功率子模块；所述IGBT功率子模块包括栅极信号输入端和...
张朋李金元温家良唐新灵崔翔赵志斌
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0