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景少红

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇陶瓷
  • 6篇陶瓷基
  • 6篇陶瓷基片
  • 6篇基片
  • 5篇电路
  • 5篇内匹配
  • 5篇功率管
  • 3篇匹配电路
  • 3篇阻抗变换
  • 3篇宽带
  • 3篇并联
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇谐振
  • 2篇击穿
  • 2篇击穿电压
  • 2篇极板
  • 2篇集成电路
  • 2篇功率附加效率
  • 2篇管芯

机构

  • 11篇中国电子科技...

作者

  • 11篇景少红
  • 9篇钟世昌
  • 2篇谢凌霄
  • 2篇黄丹
  • 2篇李宇超
  • 1篇张勇

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2025
  • 4篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2016
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种陶瓷基片与覆铜板相结合的内匹配功率载片
本实用新型提出一种陶瓷基片与覆铜板相结合的内匹配功率载片，本实用新型功率管采用陶瓷片与覆铜板相结合的匹配方式实现小型化、大功率的需求，其输入匹配采用陶瓷基片进行多级阻抗变换，将GaN HEMT管芯得栅端匹配到50欧姆，陶...
钟世昌李飞景少红时晓航王帅
一种宽带大功率GaN预匹配功率管
本发明提出了一种宽带大功率GaN预匹配功率管，涉及微波功率放大器，属于基本电子电路的技术领域。该宽带大功率GaN预匹配功率管的输入预匹配网络采用分布式元件匹配，将匹配元件制作在氧化铝陶瓷基片上；输出预匹配网络采用谐振网络...
钟世昌景少红 王帅 饶翰 李飞 曹建强 王云燕
文献传递
一种低通匹配结构的高线性GaN内匹配功率管
本实用新型公开了一种低通匹配结构的高线性GaN内匹配功率管，包括四路单胞电路、输入合成网络、栅极偏置网络、输出合成网络和漏极偏置网络，四路单胞电路并联连接；单胞电路的一端与输入合成网络和栅极偏置网络连接，另一端与输出合成...
汤茗凯景少红王帅钟世昌费凡吕德程
MIM电容器的制备方法及MIM电容器
本发明公开了一种MIM电容器的制备方法及MIM电容器，所述MIM电容器包括：衬底，所述衬底上开设有若干背孔；背金层，所述背金层附着在衬底下表面、背孔的侧壁；电容第一极板，所述电容第一极板设在衬底上方，且与附着在衬底下表面...
邵国键秦桂霞沈杰周书同陈韬张军云景少红钟世昌唐世军
一种宽带高效GaN内匹配功率管
本实用新型涉及一种新型宽带高效GaN内匹配功率管，其输入、输出均采用多级阻抗变换形式的带通匹配网络，将匹配元件制作在陶瓷基片上；在靠近GaN HEMT管芯栅端位置通过并联一段电感、电容、电阻串联电路到地与GaN HEMT...
钟世昌时晓航景少红王帅李飞曹建强杨文琪
一种MIM电容及其制备方法
本发明公开了一种MIM电容及其制备方法，所述MIM电容包括电容，所述电容设在衬底的上方；所述电容包括由下至上依次设置的下极板、下电容介质层、中极板、上电容介质层、上极板；电容中极板通过接地模块、背孔、背金与地相接，上下极...
邵国键秦桂霞沈杰周书同陈韬张军云景少红钟世昌唐世军
一种内匹配功率管
本发明公开了一种内匹配功率管，包括输入匹配电路、管芯和输出匹配电路，所述输入匹配电路为集成在GaAs基片上的单片集成电路，所述输出匹配电路为制作在陶瓷基片上的内匹配电路。本发明结合了单片集成电路和内匹配电路的优点，制作的...
钟世昌李宇超景少红谢凌霄黄丹
文献传递
S波段内匹配Doherty GaN功率放大器设计
2025年
无线通信系统中,功率放大器既是发射端尺寸最大的器件,也是功耗最高的器件。为应对通信系统对功放提出的小体积、高效率的要求,介绍了一款基于GaN工艺的内匹配Doherty功率放大器。该放大器工作频率为3.4~3.6 GHz,饱和输出功率大于47 d Bm,附加效率大于55%,输出功率回退4.5 d B时,附加效率大于52%。功率放大器采用内匹配技术设计,可以有效减小体积,整个放大器外封装尺寸为30.8 mm×27.4 mm。
景少红时晓航吴唅唅豆刚张勇
关键词：GANDOHERTY内匹配
一种基于有源负载调制的大功率深回退宽带多模放大器
本发明公开了一种基于有源负载调制的大功率深回退宽带多模放大器，包括3dB功分器，所述3dB功分器的一个输出端连接有CA放大器，3dB功分器的另一输出端通过相位补偿器连接BA放大器，BA放大器的输出端连接后匹配网络；所述C...
余奇明景少红周永春唐世军王帅鞠久贵
一种内匹配功率管
本发明公开了一种内匹配功率管，包括输入匹配电路、管芯和输出匹配电路，所述输入匹配电路为集成在GaAs基片上的单片集成电路，所述输出匹配电路为制作在陶瓷基片上的内匹配电路。本发明结合了单片集成电路和内匹配电路的优点，制作的...
钟世昌李宇超景少红谢凌霄黄丹
文献传递
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