雷毅敏
- 作品数：29 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程文化科学一般工业技术更多>>
- GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法
- 本发明公开了一种GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法，主要解决现有制备方法中GaN基异质结透明薄膜样品在离子减薄时容易造成薄膜减薄过度导致样品制备成功率低的问题。其技术方案是：1.对GaN基异质结薄膜材料...
- 马晓华宋芳雷毅敏马佩军钟决坤王湛
- 文献传递
- 大类招生模式下的高校学业指导课的教学研究
- 2022年
- 大类招生模式下,学业指导工作在高校人才培养方面发挥着尤其重要的作用,可以有效引导学生积极面对学业生活方面的困惑,进而实现个人的全面发展及人生价值的最大化。本文结合大类招生模式下的学业指导课的实践现状,分析了学业指导课程目前存在的问题,明确了开展学业指导工作的方向和有效途径,学业指导老师要进行系统的入学教育、指导过程中要突出学生的主题地位、注意指导内容的深度、实现“全面覆盖、重点关注”的目标,以达到最佳的指导效果。
- 周楠仲鹏雷毅敏刘金妹
- 基于s-SWCNT/Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质结的日盲探测器及制备方法
- 本发明公开一种基于s‑SWCNT/Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质结的日盲探测器及制备方法，主要解决传统器件负光电导性能差、热稳定性不好、光电导单一及工艺复杂等关键技术瓶颈。本发明的探测器包含衬...
- 雷毅敏徐佳响王湛孙静王欣媛崔暖洋马晓华
- 基于反应离子刻蚀的GaN薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法
- 本发明公开了一种GaN薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法，主要解决现有制备方法步骤繁琐、耗时较长、薄区不均匀、样品制备成功率低及可靠性低的问题。其实现步骤是：1.将GaN薄膜材料切割成矩形条样品并清洗；2.制备掩膜版，设...
- 马晓华宋芳钟决坤马佩军雷毅敏王湛
- 文献传递
- 具有双功能催化的自支撑Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>纳米纤维制备方法
- 本发明公开了一种具有双功能催化的自支撑Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>纳米纤维制备方法，主要解决常规制备法所得Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>材料尺寸较大的问题。其实现步骤是：...
- 雷毅敏马晓华李健王湛宋芳
- 文献传递
- GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法
- 本发明公开了一种GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法，主要解决现有制备方法中GaN基异质结透明薄膜样品在离子减薄时容易造成薄膜减薄过度导致样品制备成功率低的问题。其技术方案是：1.对GaN基异质结薄膜材料...
- 马晓华宋芳雷毅敏马佩军钟决坤王湛
- 文献传递
- 基于半导体性碳纳米管薄膜的非制冷红外传感器及制备方法
- 本发明公开一种基于半导体性碳纳米管薄膜的非制冷红外传感器及制备方法，所述局部底栅结构的非制冷红外传感包括源电极；栅绝缘层；衬底；栅电极；漏电极；半导体性碳纳米管薄膜。本发明采用共轭聚合物材料制备碳纳米管(CNTs)，规避...
- 雷毅敏刘一乐庞瑞驰魏宇翔徐佳响崔暖洋马晓华
- Ag/Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>5</Sub>锌-空气电池阴极催化剂的制备方法
- 本发明公开了一种基于还原法制备Ag/Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>5</Sub>锌?空气电池空气阴极催化剂的制备方法，主要解决传统Pt基催化剂的高成本以及催化剂载体粒径大的问题。其实现步骤是：1.分别配置硝酸银...
- 雷毅敏马晓华李健宋芳王湛
- 文献传递
- Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>5</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>混晶纳米纤维的制备方法
- 本发明公开了一种基于相转变制备Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>5</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>混相纳米纤维的方法，主要解决传统制备方法成本及能耗较高的问题。其实现步骤是：1.将TiOSO<Sub>4...
- 马晓华李健雷毅敏宋芳王湛
- 文献传递
- 单手性半导体碳纳米管的分离及其在电子学中的应用研究进展被引量：1
- 2024年
- 半导体性单壁碳纳米管(Semiconducting single-walled carbon nanotubes,s-SWCNTs)以其高载流子迁移率和弹道运输等优异的电学特性,成为后摩尔时代新型半导体材料的有力竞争者。经过20多年的发展,碳基电子技术在s-SWCNTs的材料提纯、基于s-SWCNTs的场效应晶体管(CNT FETs)的制备,以及基于CNT FETs的器件物理等基础问题上已经取得显著进展。然而s-SWCNTs的手性多样性引发的CNT FETs电学性能波动等问题,限制了s-SWCNTs在具有先进制程和卓越性能的高端集成电路(Integrated circuit,IC)中的应用。单手性的s-SWCNTs不仅展现出优异的电学性能,还具有可控的结构和稳定的性能,这些特性对其在高端IC中的应用至关重要。尽管如此,在提高单手性s-SWCNTs的分离纯度和产量,以及优化单手性CNT FETs方面,仍面临诸多挑战。本文综述了碳纳米管手性分选的方法,并重点讨论了共轭聚合物后处理方法的研究进展。然后总结了单手性CNT FETs的研究进展,并分析了未来的发展方向。最后对单手性s-SWCNTs的应用前景进行了展望,分析了未来将要面临的挑战和机遇。
- 孙雅楠雷毅敏祝杰杰魏宇翔张鹏张鹏李培咸李培咸
- 关键词：场效应晶体管
