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作者

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  • 4篇刘俊
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传媒

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年份

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  • 11篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
111 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种用于多晶硅铸锭的脱模层、多晶硅铸锭方法及铸锭用坩埚
本发明提供了一种用于多晶硅铸锭的脱模层,所述脱模层设置于铸锭用坩埚内壁的表面,将硅料与坩埚内壁隔离,所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁,所述脱模层的材质为纯度在99.99%以上的高纯硅化物薄片,所述脱模层的厚度为0.1m...
刘海何亮胡动力
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一种硅片的绒面制作方法
本发明涉及光伏或半导体领域的一种硅片的绒面制作方法,本发明要解决的技术问题是提供一种硅片的绒面制作方法,其中:将硅片置于HCl气体中进行腐蚀来制备硅片绒面;相比目前使用较多的氢氟酸、硝酸或碱腐蚀制绒方法,采用本发明提供的...
何亮丁俊尚召华
文献传递
一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法,该制备方法包括在坩埚内壁涂上氮化硅层后,在坩埚内从下至上填装硅料;加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体,当硅熔体与未熔化的硅料所形成的固液界面接近坩埚底面时,调节热场形成过冷状态,使硅熔体在...
何亮胡动力张涛雷琦万跃鹏
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硼铟共掺高效多晶铸锭的制备
2019年
通过在铸锭中引入铟元素替代部分硼元素进行掺杂,成功的制备了掺铟多晶铸锭,且与常规铸锭在硅块电阻率分布、硅块少子少子寿命及硅片位错比例、硅片电池性能进行了对比。结果表明:通过控制合适的掺铟比例,铸锭的电阻率分布能得到有效控制,且相比常规铸锭电阻率分布更加集中;通过少子寿命仪的测试,发现掺铟铸锭整体少子寿命略高于常规铸锭;通过PL测试,发现掺铟铸锭硅片从底部至头部位错均较少;通过硅片电池数据对比,发现掺铟硅片短路电流及开路电压都相应的得到提高,硅片转换效率相比提高0.14%,推断一方面为铟元素引入应力场可阻挡位错滑移,另一方面可能为铟元素杂质光伏效应所致。
罗鸿志何亮何亮徐云飞雷琦毛伟徐云飞李建敏周成
关键词:位错
一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片
本发明提供了一种籽晶的铺设方法,用于铸造类单晶,包括以下步骤:提供坩埚,在坩埚底部铺设籽晶,相邻两个籽晶之间留有缝隙,在缝隙中填充导热系数小于籽晶导热系数的低导热材料;低导热材料和籽晶紧密接触铺满坩埚底部得到籽晶层。通过...
何亮周成胡动力雷琦陈红荣
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一种多晶硅铸锭用坩埚涂层以及制备方法
本发明涉及一种坩埚涂层,特别是一种陶瓷坩埚涂层,具体应用于多晶硅铸锭生产中,还涉及一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法。一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其中:所述的涂层配方中固含量包含80-99%重量比的氮化硅,1-20%重...
吕兴栋万跃鹏尚召华胡动力何亮
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一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片
本发明提供了一种籽晶的铺设方法,用于铸造类单晶,包括以下步骤:提供坩埚,在坩埚底部铺设第一硅材料,所述第一硅材料铺满所述坩埚底部形成第一保护层;然后在所述第一保护层上铺设籽晶,形成籽晶层;再在所述籽晶层上铺设第二硅材料,...
何亮周成胡动力雷琦陈红荣
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一种单晶籽晶的切割方法及应用
本发明提供了一种单晶籽晶的切割方法,包括以下步骤:制备或提供单晶棒,所述单晶棒的外周壁上沿其长度方向设置有两两正对的四条棱线,所述棱线在所述单晶棒的端面上形成有基准点;制作图形模板,所述图形模板上设有切割图案和定位标识,...
胡润光何亮李建敏付志斌邹贵付
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一种籽晶铺设方法、晶体硅及其制备方法
本发明提供了一种籽晶铺设方法,用于铸造晶体硅,包括以下步骤:提供坩埚,在坩埚底部形成第一籽晶层;然后在第一籽晶层上铺设硅块,形成第二籽晶层,相邻两硅块之间留有宽度不小于1cm的缝隙,第一籽晶层和第二籽晶层构成籽晶层,籽晶...
雷琦胡动力何亮
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坩埚
本实用新型公开了一种坩埚,应用于多晶硅铸锭生产,坩埚包括侧壁及连接侧壁的底壁,侧壁上设凹坑结构,凹坑结构沿侧壁高度方向设置并延伸至底壁。本实用新型提供的坩埚通过在坩埚的侧壁上设置凹坑结构,从而替代了现有的采用侧壁平整的设...
何亮胡动力雷琦罗鸿志
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共12页<12345678910>
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