黄强
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 薄膜硅／晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的性质及光发射谱研究被引量：2
- 2013年
- 本文采用甚高频等离子体化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结电池中的本征硅薄膜钝化层,光发射谱(OES)测量技术研究了硅薄膜沉积过程中等离子体发光谱随时间的变化.结果表明:在实验优化条件下等离子体发光谱很快达到稳定(大约25 s),并且SiH*/Hα*的比值随时间变化较小,避免了生长过程中硅薄膜结构的不均匀性,这主要是SiH4没有完全耗尽避免了SiH4的反向扩散.进一步研究了沉积参数对稳态发光谱和硅薄膜性质的影响,结果表明:随着硅烷浓度增加,Hα*峰强度减小,SiH*峰强度增加,薄膜从微晶转变成非晶,非晶硅薄膜钝化效果好;随着沉积气压增大,Hα*和SiH*峰强度先增加后减小,高气压下Hα*和SiH*峰强度下降主要是反应前驱物的聚合形成高聚合物,不利于形成高质量的硅薄膜,因此钝化效果下降;随着反应功率密度增加,Hα*和SiH*峰强度增大,当功率密度为150 mW/cm2趋于饱和,硅薄膜的致密度和钝化效果也开始下降,50 mW/cm2的低功率密度下硅薄膜钝化效果差可能是由于原子H浓度低,不能完全钝化单晶硅表面的悬挂键.
- 薛源郜超军谷锦华冯亚阳杨仕娥卢景霄黄强冯志强
- 关键词：异质结
