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刘鹏飞

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇导电类型
  • 5篇功率器件
  • 4篇半导体
  • 4篇MOS型
  • 3篇压降
  • 3篇终端
  • 3篇耐压
  • 3篇IGBT
  • 3篇电系统
  • 2篇导通
  • 2篇导通压降
  • 2篇电极
  • 2篇断路
  • 2篇断路器
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇氧化层
  • 2篇元胞
  • 2篇势垒
  • 2篇内置

机构

  • 22篇比亚迪汽车股...

作者

  • 22篇刘鹏飞
  • 15篇吴海平
  • 2篇左静
  • 2篇黄宝伟
  • 2篇陈奎宇
  • 1篇白兴军

年份

  • 5篇2025
  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2012
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种轨道交通的供电系统
本实用新型提供一种轨道交通的供电系统，包括：第一电源屏和第二电源屏；所述第一电源屏包括第一逆变模块；所述第二电源屏包括储能设备；所述第一逆变模块的直流输入端连接所述储能设备，所述第一逆变模块的交流输出端用于连接第一交流负...
刘鹏飞皇甫艳芳周权左静陈奎宇
一种芯片结构及其制作方法
本发明提供一种芯片结构及其制作方法，该芯片结构包括：衬底；形成在所述衬底中的有源区，所述有源区内包括所述芯片的逻辑电路；形成在所述衬底中的终端区，所述终端区包括：主结，所述主结环绕所述有源区；多个场限环，所述多个场限环依...
刘鹏飞吴海平
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一种半导体结构及其形成方法
本发明提出一种半导体结构及其形成方法，其中该方法包括：提供衬底；在衬底的背面进行掺杂；在衬底的背面形成衬垫层；在衬底的正面制作正面结构；去除衬垫层及减薄衬底，以暴露出衬底的背面；在衬底的背面制作背面结构。该方法通过预先处...
吴海平黄宝伟刘鹏飞肖秀光
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一种半导体器件及其制造方法
本发明涉及半导体器件，器件包括，第一导电类型第一半导体层；形成于第一半导体层中的第二导电类型的阱区；设置于第一半导体层与阱区之间的第二半导体层；形成于阱区中的第一导电类型源区；设置于第一半导体层之上覆盖了部分源区和部分阱...
刘鹏飞贾荣本吴海平
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一种具有内置二极管的IGBT结构及其制造方法
本发明提供一种具有内置二极管的IGBT结构及其制造方法，通过在半导体衬底的正面形成条形元胞区，在半导体衬底的背面形成交替平行排列的p型和n型条形掺杂区，正面条形元胞区和背面p型和n型条形掺杂区相互垂直，从而实现在制造IG...
肖秀光刘鹏飞吴海平
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两进线一母联的配电系统
本实用新型提供一种两进线一母联的配电系统，所述两进线一母联的配电系统包括第一进线柜、第二进线柜和母联柜，第一进线柜、第二进线柜和母联柜均包括断路器和控制回路，断路器包括常闭辅助触点和用于使该断路器脱扣的脱扣器，脱扣器包括...
蒋文凭刘鹏飞范长胜张泽柯杨梦可
垂直MOS功率器件及其形成方法
本发明提出一种垂直MOS功率器件，该垂直MOS功率器件可以为平面型或者沟槽型。本发明实施例的垂直MOS功率器件中，通过去除了整个或者部分形成米勒电容的栅极，米勒电容明显减小，从而消除或明显减小第二电极电压变化对栅极电压的...
黄宝伟肖秀光刘鹏飞吴海平
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一种MOS型功率器件及其制造方法
本发明所提供了一种MOS型功率器件制造方法，包括以下步骤：(1)于一半导体基体上形成第一氧化层；(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层；(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层；(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区；(5...
刘鹏飞吴海平谢怀亮
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充电站的功率调度方法、装置、设备、存储介质及充电站
本申请提供一种充电站的功率调度方法、装置、设备、存储介质及充电站。该方法应用于充电站中的第一充电装置，包括：确定第一充电装置的第一预设可用功率和第一输出需求功率；在第一预设可用功率大于第一输出需求功率的情况下，将第一充电...
杨文博黄浩文刘鹏飞邵鑫韬邱昆
MOS型功率器件及其形成方法
本发明公开了一种MOS型功率器件及其形成方法。该MOS型功率器件包括：第一导电类型的耐压层；位于耐压层之上的第一导电类型的阻挡层；位于阻挡层中的第二导电类型的阱区；位于阱区中的第一导电类型的源区；位于阻挡层之上的栅极；位...
吴海平肖秀光刘鹏飞
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