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一种驱动电路、电路系统及电子设备: 本发明提供了一种驱动电路、电路系统及电子设备，用于驱动功率管，功率管的漏端耦接至地，功率管的源端通过负载单元耦接至负载电源端；该驱动电路包括：驱动模块，根据输入的驱动控制信号为第一状态，对功率管的栅极注入导通电流，以导通...; 张烁童乔凌闵闰刘畅陈志坤

自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片: 2025年; 为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方案.驱动通过检测栅极电压和漏源电压判断SiC MOSFET的开通阶段,进行三段式电流控制,在降低电流过冲的同时,将漏源电压转换率(d V/dt)限制在安全水平.使用自适应逐周期逼近的反馈控制技术补偿了反馈环路的控制延时,能根据工况自适应调节电流切换点.采用东部高科180 nm BCD工艺实现,有效面积为2300μm×2100μm.仿真结果表明:相较于传统栅极驱动,在相同的d V/dt条件下,电流过冲下降了13.7%,开通损耗降低了38%.; 张烁周清越李超陈伟铭刘畅童乔凌; 关键词：自适应

一种基于电压斜率检测的全集成驱动芯片架构、电子设备: 本发明提供了一种基于电压斜率检测的全集成驱动芯片架构、电子设备，用于对第一功率管进行驱动；反馈电容用于对第一功率管的源漏电压的电压斜率变化进行反馈，并根据反馈结果产生位移电流；控制单元用于输出控制信号；集成驱动单元的电压...; 张烁童乔凌闵闰彭晗李新宇

一种基于电流斜率检测的全集成驱动芯片架构、电子设备: 本发明提供了一种基于电流斜率检测的全集成驱动芯片架构、电子设备，用于对第一功率管进行驱动；该架构包括反馈单元，对第一功率管的感应电压进行分压反馈；控制单元，提供控制信号；集成驱动单元，包括开通三段式驱动支路以及关断三段式...; 张烁童乔凌闵闰彭晗唐文军

论商业银行理财产品消费者权益保护: 近年来，随着经济快速发展，居民手中的财富也在不断增加，如何实现财富的保值增值，抵抗日益严重的通货膨胀，成为广大居民日益关心的话题。由于信托行业门槛过高,加之证券市场近年来表现低迷，由商业银行设计并发售的理财产品以其高收益...; 张烁; 关键词：消费者权益保护商业银行理财产品; 文献传递

基于孪生神经网络的目标跟踪算法研究: 目标跟踪作为计算机视觉技术的研究热点之一，在智能监控、人机交互等领域发挥着重要的作用。由于目标跟踪应用领域广泛、应用场景复杂，在目标跟踪中常常有跟踪失败的情况发生。不同领域的研究学者提出了许多不同的目标跟踪算法，其中基于...; 张烁; 关键词：目标跟踪卷积神经网络

基于宽范围升压变换器最大效率移相轨迹控制研究被引量：1: 2023年; 本文提出了一种能够实现最大效率的最优移相轨迹控制方法,可用于一种新型的输入并联输出串并联移相全桥变换器。该变换器采用柔性变拓扑技术,通过控制电压的大小与极性,能够在输入并联输出并联以及输入并联输出串联架构间进行无缝灵活切换,从而实现宽范围的输出电压范围。基于变换器工作原理,提出了系统的全解析损耗模型,能够计算变换器在不同移相控制变量下的损耗情况。在此基础上,求解得到了实现最低损耗与最高效率的移相控制方案。此方案显著地优化了器件的导通损耗与变压器的总体损耗。基于上述分析结果,搭建了一个使用1700 V碳化硅二级管的1.2 kW/100 kHz原理样机,实验结果表明,所提出的变换器能2~18.6的宽电压增益范围输出,且相比传统控制提升了最高4.4%的效率。; 张烁何洪楷朱立颖张文佳徐浩然闵闰

基于自适应电压尖峰抑制的SiC MOSFET有源栅极驱动芯片: 2025年; 在碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,SiC MOSFET)的关断过程中,为了减小电压过冲,传统栅极驱动通常采用增大驱动电阻的方式,但不可避免地导致了关断损耗的增加。为此,设计了一种基于自适应电压尖峰抑制的SiC MOSFET有源栅极驱动芯片。通过对SiC MOSFET的关断过程的分析,研究了电压过冲的产生机理,提出了抑制电压过冲的方案。驱动通过检测漏源峰值电压判断SiC MOSFET的关断阶段,进行三段式电流控制。在电流下降阶段采用小驱动电流而在其他阶段采用大驱动电流,从而降低电压过冲与关断损耗。使用自适应三段式电流控制技术,能够根据工况自适应调节电流切换点,适用于多种工况下的控制。驱动芯片采用东部高科180 nm BCD工艺实现,有效面积为1690μm×1690μm。仿真结果表明,与传统栅极驱动相比,在相同的电压过冲的条件下,关断时间降低了56.3%,关断损耗降低了26.6%。; 冯静波客金坤张烁李超白建成陈伟铭童乔凌; 关键词：自适应关断损耗

NMOS管的栅极驱动电路及其功率开关电路: 本发明提供了一种NMOS管的栅极驱动电路，该电路通过在需要NMOS管开通时，将输出的开通控制信号的电压调整为第一阶段开通电压，第一阶段开通电压大于密勒平台电压且小于最大开通驱动电压，且仅在NMOS管的栅源电压大于或等于第...; 张烁童乔凌闵闰刘畅陈志坤

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张烁