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冯波

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：湖南大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇光刻
  • 4篇电子束光刻
  • 3篇电子光学
  • 3篇电子光学系统
  • 3篇折射率
  • 3篇晶格
  • 3篇光学
  • 2篇氮化铟
  • 2篇电子束
  • 2篇束流
  • 2篇双折射
  • 2篇双折射率
  • 2篇离子束
  • 2篇介质柱
  • 2篇晶格常数
  • 2篇晶体
  • 2篇焦深
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤制备
  • 2篇光子

机构

  • 14篇湖南大学

作者

  • 14篇冯波
  • 4篇王梓名
  • 4篇刘建军
  • 4篇肖威
  • 4篇刘鸿飞
  • 4篇蔡伟成
  • 4篇王烁
  • 2篇苏康

年份

  • 3篇2025
  • 7篇2024
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高效光子晶体1.31/1.55μm波分复用器
本发明公开了一种高效光子晶体1.31/1.55μm波分复用器，所述波分复用器的折射率分布为介质柱型，整个结构的介质柱以三角晶格结构排列，晶格常数a＝0.6μm，介质柱半径r＝0.12μm，材料折射率为2.95，对应III...
刘建军王梓名苏康刘鸿飞冯波蔡伟成肖威王烁梁泰源
文献传递
一种多电子束并行光刻装备电子束聚焦结构及其制造方法
本发明公开了一种多电子束并行光刻装备电子束聚焦结构及其制造方法，专用MEMS微孔阵列单元为核心部件，其能够将入射在表面的电子束进行分束，大幅面扩展束流数量；通过高压ASIC控制芯片，利用传输线，将不同的电压加至专用MEM...
冯波王彪陈艺勤黄飞凤王乾丞陈曌陈鸿彬段辉高
一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法
本发明公开了一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法，属于微纳制造技术领域，金属层的沉积过程中，采用掠角离子束溅射（IBS）物理气相沉积方式（PVD），可实现钼（Mo）、钌（Ru）等金属薄膜在数十纳米特征尺寸（CD）及...
冯波王彪陈艺勤黄飞凤段辉高
一种新型高双折射光子准晶光纤
本发明公开了一种新型高双折射光子准晶光纤，其背景材料为SiO<Sub>2</Sub>，整个结构的散射子以十重Penrose型光子准晶结构排布，晶格常数为Λ，包层圆形空气孔直径分别为d<Sub>3</Sub>和d<Sub>...
刘建军刘鸿飞蔡伟成肖威冯波王梓名王烁梁泰源
文献传递
一种X射线波带片过电镀金属层后道离子束回刻方法
本发明公开了一种X射线波带片过电镀金属层后道离子束回刻方法，包括如下步骤：S1)氮化硅隔膜窗口制备：S2)光刻：S3)电镀：S4)离子束抛光：本发明的离子束抛光方法具有高精度和均匀性、无接触和热影响、多种材料的选择性、清...
冯波王彪黄飞凤王乾丞陈鸿彬陈曌陈艺勤段辉高
一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法
本发明公开了一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，属于微纳制造技术领域，通过将光刻胶薄膜置于悬空状态执行曝光过程，消除衬底对于光刻分辨率，然后通过透明载体将曝光后的光刻胶剥离并完成显影，之后将显影后的光刻胶图案转移...
冯波王彪黄飞凤王乾丞陈曌陈鸿彬陈艺勤段辉高
一种应用于3D IC的正/背面套刻集成方法
本发明公开了一种应用于3D IC的正/背面套刻集成方法，包括步骤：外延衬底准备(top‑Si/SiGe‑牺牲层on Si基底)；正面“贯穿式形态”套刻标记制备；芯片正面器件/结构制备：在硅衬底所外延的top‑Si层顶部，...
冯波黄飞凤王彪段辉高
一种多电子束光刻装备电子光学系统结构及其制造方法
本发明公开了一种多电子束光刻装备中的MEMS基电子光学系统结构及制造方法，其中MEMS器件中电子光学系统结构为核心部件，其能够将入射在孔中电子束进行分束、收束、聚焦，并实现调节对中及像散的功能。通过控制芯片，利用传输线，...
冯波王彪陈艺勤黄飞凤王乾丞陈曌陈鸿彬段辉高
一种功能性纳米薄膜全干法转移方法
本发明公开了一种功能性纳米薄膜全干法转移方法，所述干法转移方法中的关键在于采用自组装单分子层，分别修饰施主、受主衬底表面，将其与功能性纳米薄膜之间的粘附力大小进行精确调控，从而可实现晶圆级尺寸、极端厚度纳米薄膜材料与同质...
冯波黄飞凤王彪陈曌陈鸿彬王乾丞段辉高
一种超表面异质集成硅基EUV探测器设计及其制备方法
本发明公开了一种超表面异质集成硅基EUV探测器设计及其制备方法，该探测器基于超表面光场调控能力及石墨烯/硅异质集成“超浅结”特性，在SOI上光刻刻蚀出硅纳米立柱，采用“全干法转移技术”将单层石墨烯转至硅纳米立柱顶部实现异...
冯波陈曌黄飞凤陈鸿彬王彪王乾丞
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