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钱凌轩

作品数：33 被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 11篇光电
  • 10篇探测器
  • 7篇氧化镓
  • 7篇半导体
  • 6篇电极
  • 6篇电子信息
  • 6篇电子信息材料
  • 6篇晶体管
  • 6篇光电探测
  • 6篇光电探测器
  • 5篇氧化物
  • 5篇日盲
  • 4篇导体
  • 4篇有源层
  • 4篇日盲紫外
  • 4篇石墨
  • 4篇探测率
  • 4篇退火
  • 3篇电晶体
  • 3篇异质结

机构

  • 33篇电子科技大学
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 33篇钱凌轩
  • 15篇张万里
  • 10篇刘兴钊
  • 4篇陶伯万
  • 3篇夏勇
  • 3篇易波
  • 3篇赵晓辉
  • 3篇李雪松
  • 2篇张诚
  • 2篇周游
  • 1篇孙旭
  • 1篇倪磊
  • 1篇杨瑞
  • 1篇刘宏宇

传媒

  • 3篇光电工程
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2025
  • 7篇2024
  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种稀土元素掺入的铪基二元氧化物薄膜的制备方法
本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种稀土元素掺入的铪基二元氧化物薄膜的制备方法及其应用。利用稀土元素具有更强氧结合能力这一特点，达到如下效果：当通入氧气较少时，优先形成富含稀土元素的氧化物；当通入氧气充足时，...
钱凌轩谭欣月
基于三层结构的半导体光电探测器及其制备方法
本发明提供一种基于三层结构的半导体光电探测器及其制备方法，包括底部的基片、基片上方的三层材料结构，三层材料结构自下到上分别为：本征半导体、掺杂或合金化半导体、间隔层，间隔层上方与电极层连接，其中，电极层包括第一电极、第二...
钱凌轩侯爽邢志阳张万里
文献传递
一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法
本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法。本发明有源层一半制备在高介电常数介质层上，另一半制备在传统介质层上，利用亚稳态的有源层SnO材料极易被氧化为SnO<Sub>2</Sub>...
钱凌轩杨成栋谭欣月
文献传递
一种用于快速热处理的管式退火炉
本发明属于高温热处理装置领域，提供一种用于快速热处理的管式退火炉，用于晶体测温技术研究中对微型晶体样品进行精准时长的快速热退火处理。本发明包括：管式高温炉1、法兰2、刚玉管4及刚玉管帽3，管式高温炉两端设置进气端与排气端...
钱凌轩陈泳洁赵晓辉陶伯万
一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法
本发明属于半导体技术领域，具体提供一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法，用以解决现有耗尽型负载反相器存在的制备工艺复杂、稳定性低、生产成本高等问题。本发明采用负载管(耗尽型晶体管)与驱动管(增强型晶体管)的栅介质层单独...
钱凌轩张诚谭欣月张万里
一种减少功能薄膜溅射对石墨烯损伤的方法
本发明提出一种减少功能薄膜溅射对石墨烯损伤的方法，该方法是在石墨烯制备完成后，功能薄膜溅射前，沉积一层双功能缓冲层。该双功能缓冲层在沉积过程中不会对石墨烯造成严重损伤，并同时具备保护作用和应力调控作用。保护作用能够减少石...
钱凌轩宋晓璐
一种集成异质结二极管的鳍型栅宽禁带和超宽禁带MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种集成异质结二极管的鳍型栅宽禁带和超宽禁带MOSFET器件。通过在槽栅两侧设置深入耐压层的P型宽禁带半导体，与槽栅形成零偏耗尽的鳍型沟道区域，实现常关型MOSFET器件。同时，利用...
易波朱胜男吴欣怡夏俊宇钱凌轩
一种基于中子辐照和离子注入晶体的大范围测温方法
本发明属于测温技术领域，具体提供一种基于中子辐照和离子注入晶体的大范围测温方法，用以实现600℃～1800℃的大范围温度测量。本发明首先对碳化硅晶体进行离子注入，得到晶格损伤后的碳化硅；然后对碳化硅单晶进行中子辐照，引入...
赵晓辉陈泳洁钱凌轩陶伯万
一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路
本发明公开了一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路，属于半导体器件技术领域。其包括：衬底、栅电极、电介质层、石墨烯层、源电极和漏电极，还包括：氧化物半导体层，且氧化物半导体层设置在石墨烯层与源电极和漏电极之...
钱凌轩邢志阳张怡宇李雪松张万里
文献传递
表面等离子体在氧化镓基紫外探测器中的应用被引量：3
2018年
局域表面等离子体共振是一种改善光电探测器性能的有效方法。本文为了提高beta-氧化镓(b-Ga_2O_3)薄膜金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外探测器的性能,提出了在beta-氧化镓薄膜表面利用快速热退火的方法形成分散的铝纳米粒子(Al-NPs),增强薄膜对光的吸收。运用此方法制备的Al-NPs/b-Ga_2O_3探测器不仅降低了暗电流,同时也提升了光响应度和探测率。在波长254 nm紫外光照、10 V偏压下,该器件的光响应度达到了2.7 A/W,探测率达到了1.35′1014cm×Hz1/2×W-1,与b-Ga_2O_3探测器相比,分别提升了1.5倍和2倍。
石雄林刘宏宇候爽钱凌轩刘兴钊
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