宋冠英
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：青岛科技大学中德科技学院更多>>
- 发文基金：山东省科技攻关计划国家自然科学基金青岛市医药科研指导计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学更多>>
- 一步法制备N掺杂SiC纳米线及场发射性能研究
- 2017年
- 采用简单的化学气相沉积法,首次以尿素(CO(NH_2)_2)为N掺杂剂,与Si/SiO_2粉体混合,一步法实现了高质量的N掺杂SiC纳米线的制备,并系统研究了不同原料质量比m(Si/SiO_2)∶m(CO(NH_2)_2)、不同合成温度对N掺杂SiC纳米线场发射性能的影响规律。研究得出:原料质量比m(Si/SiO2)∶m(CO(NH_2)_2)为1∶3,合成温度为1 250℃时,产物具有最优的场发射性能,其开启电场和阈值电场分别为1.2V·μm-1和3.3V·μm-1。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)等测试手段对优选工艺条件下所得产物的微观形貌、元素组成和物相结构进行了系统表征,结果表明:所得产物为具有立方结构的β-SiC晶体,纳米线的直径均匀,约为80nm,长度可达数十微米,N元素在产物中的原子分数为3.28%。
- 张栋梁宋冠英李镇江李镇江
- 关键词：SIC纳米线N掺杂场发射性能
- La或N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算被引量：4
- 2015年
- 采用化学气相沉积法和气相掺杂法,分别制备了La或N掺杂的Si C纳米线.利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线能量色散谱(EDS)分析和X射线衍射(XRD)等测试手段对两种产物的微观形貌、元素组成和物相结构进行了系统表征.以合成产物作为阴极,对其场发射性能进行测试,结果表明:Si C纳米线的开启电场值和阈值电场值由未掺杂的2.3、6.6 V*μm-1分别降低为1.2、5.2 V*μm-1(La掺杂)和0.9、0.4 V*μm-1(N掺杂).采用Material Studio软件中的Castep模块建立(3×3×2)晶格结构模型,对未掺杂、La或N掺杂Si C的能带结构和态密度进行计算,结果显示:La或N掺杂后,在费米能级附近产生了新的La 5d或N 2p掺杂能级,导致禁带宽度(带隙)变窄,使得价带电子更容易跨越禁带进入导带,从而改善Si C纳米线的场发射性能.
- 李镇江马凤麟张猛宋冠英孟阿兰
- 关键词：场发射性能LA掺杂N掺杂SIC纳米线第一性原理
